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功率 CSP MOSFET
Panasonic 的高级 110 nm 细沟槽单元硅技术（Power CSP MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
全球领先的半导体产品制造商 Panasonic 宣布推出 FJ3P02100L 和 FK3P02110L 系列 Power CSP MOSFET。 功率 CSP MOSFET 系列采用 Power Mount CSP 封装 (PMCP)，这种封装融合了独特的焊盘设计和漏极夹技术。 因此，相比传统解决方案，热耗散性能提升了 5%，尺寸减小了 80%。 Panasonic 在单元技术和晶圆薄化制造领域的优势推动硅技术发展，相比同尺寸的传统芯片，其 110 nm 细沟槽式单元的 RDS(on) 降低了 47%。 通过这项技术，这种 MOSFET 系列实现了更高的能效，同时还降低了功耗。
功率 CSP MOSFET特性
大功率安装 CSP (PMCP) 封装相对传统的解决方案热耗散性能提升 5%，同时尺寸减小 80%
通过了 AEC-Q101 鉴定
相对同尺寸的传统芯片，细沟槽式硅技术的 RDS(on) 降低了 47%，实现更高能效的同时还降低了系统功耗
尺寸： FJ3P02100L：2.0 x 2.0 x 0.33 mm，FK3P02110L：1.8 x 1.6 x 0.33 mm
RDS(on)：FJ3P02100L：VGS = 4.5 V 时 9.5 mΩ（典型值），FK3P02110L：VGS = 2.5 V 时 12.5 mΩ（典型值）
无卤素且符合 RoHS 规范，带有无铅焊接鼓包
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FK3P02110L | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 24V 3A PMCP | ￥6.27096 | 在线订购 |
 | | FJ3P02100L | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP | 在线订购 |
应用案例
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