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HTSC系列高温硅电容器
IPDiA的HTSC系列（HTSC Series High Temperature Silicon Capacitors）在-55°C至+ 200°C的整个温度范围内提供高电容稳定性，温度系数低于±1％
发布时间：2018-06-14
IPDiA的高温硅电容器专用于可靠性高达200°C的应用。IPDIA硅胶帽的密度与基于X7R的电容器相似，具有基于COG / NP0的电容器的性能。HTSC在市场上的-55°C至+ 200°C温度范围内提供最高的电容稳定性，温度系数低于±1％。IPDiA技术具有高可靠性，比钽或MLCC等替代电容器技术高出10倍，并消除了开裂现象。硅电容技术还可在整个工作电压和温度范围内提供非常稳定的电容值，并具有高且稳定的绝缘电阻。
HTSC系列高温硅电容器特性
高达200°C的高稳定性
温度范围-55°C至+ 200°C
电容值稳定性高：
电压<0.1％/ V.
通过老化可以忽略不计的电容损耗
漏电流低
薄型（400微米）
高可靠性（FIT <0.017件/十亿小时）
漏电流低至100 pA
低ESL和ESR
适用于无铅回流焊接
HTSC系列高温硅电容器应用
高可靠性应用
具有电池操作的设备
极端小型化
适用于嵌入式技术
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | 935132424347 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 0402 470pF ±15% 1.20 x 0.70mm 400mΩ | 在线订购 | |
| | 935132424533 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 0402 33nF ±15% 1.20 x 0.70mm 400mΩ | ￥20.43304 | 在线订购 |
| | 935132425610 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 0603 100nF ±15% 1.80 x 1.10mm 400mΩ | 在线订购 | |
| | 935132426610 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 0805 100nF ±15% 2.20 x 1.40mm 400mΩ | 在线订购 | |
| | 935132424410 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 0402 1nF ±15% 1.20 x 0.70mm 400mΩ | 在线订购 | |
| | 935132424522 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 0402 22nF ±15% 1.20 x 0.70mm 400mΩ | 在线订购 | |
| | 935132424547 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 0402 47nF ±15% 1.20 x 0.70mm 400mΩ | 在线订购 | |
| | 935132424310 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 0402 100pF ±15% 1.20 x 0.70mm 400mΩ | 在线订购 | |
| | 935132424610 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 0402 100nF ±15% 1.20 x 0.70mm 400mΩ | 在线订购 | |
 | | 935132427710 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 1206 1µF ±15% 3.40 x 1.80mm 400mΩ | 在线订购 | |
 | | 935132429733 | 硅电容器-电容器 | 硅电容器 1812 3.3µF ±15% 4.66 x 3.56mm 400mΩ | 在线订购 |
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