IPDiA的极端温度硅电容器适用于要求在极端工作温度范围（高达250°C）下性能的应用。XTSC业界领先的性能在1206封装中提供1μF电容，在整个-55°C至+ 250°C温度范围内TC <1.5％。该技术即使在非常高的温度下也具有可忽略的老化和稳定的绝缘电阻，并且在整个工作范围内具有稳定的电容值。IPDiA硅胶帽提供与基于X7R的电容器类似的密度，具有基于COG / NP0的电容器的性能。该技术还具有高可靠性，比钽或MLCC等替代电容器技术高出10倍，并消除了开裂现象。