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AUIRFN8403 COOLiRFET™
IR 推出采用 PQFN 5 x 6 E 封装的汽车级 Q101 40 V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET（AUIRFN8403 COOLiRFET™ ）。
发布时间：2018-06-14
这款 HEXFET® 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用了可在单位硅晶面积上实现极低导通电阻的最新工艺技术。 该设计的其他特性还包括 175°C 工作结温、高开关速度以及更高的重复性雪崩额定值。 所有这些特性使得这款产品设计拥有极高能效和可靠性，能用于汽车和大量其它应用。
AUIRFN8403 COOLiRFET™特性
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C 工作温度
快速开关
允许达到 Tjmax 的重复性雪崩
无铅，符合 RoHS 规范
获得车用资质认证
AUIRFN8403 COOLiRFET™应用
电动助力转向系统 (EPS)
电池开关
启动/停止微型混合动力
重型负载
DC/DC 转换器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | AUIRFN8403TR | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN | 在线订购 |
应用案例
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