![](http://file.elecfans.com/web1/M00/87/DB/o4YBAFyHXSeAVzbCAAA0vaJ5Mpo286.jpg)
全 SiC 半桥电源模块
![全 SiC 半桥电源模块](http://file1.elecfans.com/web2/M00/91/27/wKgaomTekpKAHoTXAAD2MZa6ZRg83.jpeg)
ROHM 的 SiC 电源模块(Full-SiC Half-Bridge Power Modules )在标准工业封装中集成了 SiC MOSFET 和 SBD
发布时间:2018-06-14
ROHM Semiconductor 的全 SiC 半桥功率模块在标准工业封装中集成了 SiC MOSFET 和 SBD。 通过采用原始电场缓和结构以及一种新的筛选方法,保证了产品可靠性并建立了首个全 SiC 功率模块量产系统。
全 SiC 半桥电源模块特性
低杂散电感
高速恢复特性
低开关损耗
与IGBT相比,无需降额
全 SiC 半桥电源模块应用
可再生能源/能源储存
EV / HEV变频器和充电器
感应加热/焊接
HVDC
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | BSM120D12P2C005 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 在线订购 | |
![]() | | BSM180D12P2C101 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 在线订购 |
应用案例
资讯DAP202UT106 ROHM 高效双二极管中文参数_封装尺寸2024-07-19
ROHM(罗姆)推出的DAP202UT106双二极管,采用SOT-323封装,凭借其高性能指标和紧凑设计,为高速开关应用提供了理想的解决方案。(进口芯片采购上安玛芯城) 核心优势 高可靠性:采用小型模压封装,确保了卓越的机械强度和稳定性。 高速开关:恢复时间仅为4ns,适用于高频开关应用,极大地提升了电路的响应速度。 紧凑设计:SOT-323封装尺寸(2mm x 1.25mm x 0.9mm),有助于节省PCB空间,提高设计的灵活性。 低正向电压:1.2V的低正向电压减少了功耗,提升
资讯DAP202UT106 ROHM 高效双二极管中文参数_封装尺寸2024-07-19
ROHM(罗姆)推出的DAP202UT106双二极管,采用SOT-323封装,凭借其高性能指标和紧凑设计,为高速开关应用提供了理想的解决方案。(进口芯片采购上安玛芯城) 核心优势 高可靠性:采用小型模压封装,确保了卓越的机械强度和稳定性。 高速开关:恢复时间仅为4ns,适用于高频开关应用,极大地提升了电路的响应速度。 紧凑设计:SOT-323封装尺寸(2mm x 1.25mm x 0.9mm),有助于节省PCB空间,提高设计的灵活性。 低正向电压:1.2V的低正向电压减少了功耗,提升
资讯2024ALE车灯展ROHM产品介绍2024-07-17
近日,ROHM亮相第十九届汽车灯具产业发展技术论坛暨上海国际汽车灯具展览会(简称ALE),展出了包括LED驱动器、高耐压MOSFET在内的多种产品及各类车灯解决方案。
资讯Rohm推出16位微控制器(MCU)2024-07-11
Rohm,一家知名的半导体制造商,近期推出了专为混合模拟-数字控制电源回路设计的16位微控制器(MCU)系列ML62Q20xx。这一系列MCU旨在满足中功率电源市场对更高可靠性和精确控制的需求,而这些需求往往难以通过传统的纯模拟配置实现。
资讯索尼、三菱等8家日企砸5兆日元投资半导体2024-07-09
在科技与可持续发展的双重浪潮下,日本八大知名企业——索尼、三菱电机、罗姆、东芝、铠侠、瑞萨、Rapidus、富士电机,正携手踏上半导体产业的壮阔征途。据最新消息,这八家巨头计划在2029年前共同投资高达5兆日元(约合数百亿美元),以扩大在功率半导体、影像传感器、逻辑半导体等关键领域的产能,旨在抓住人工智能(AI)与减碳市场蓬勃发展的历史机遇。
资讯罗姆子公司SiCrystal在德国扩产,SiC产能将扩大三倍2024-07-08
在全球半导体产业持续升温,尤其是新能源汽车、光伏及风电等绿色能源领域对高性能功率半导体需求激增的背景下,罗姆集团旗下的子公司SiCrystal GmbH宣布了一项重大的产能扩张计划,标志着碳化硅(SiC)芯片生产迈入了一个全新的发展阶段。
资讯实现电流和控制信号分离,罗姆新型SiC封装模块助力实现更小型的xEV逆变器2024-06-26
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)凭借高频、高压、高效、高耐温和低损耗的产品特性,目前第三代半导体SiC(碳化硅)器件已经成为各行业打造电气化方案的首选,进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。根据市场调研机构Yole的统计数据,2023年全球SiC功率器件市场规模达19.72亿美元,近五年年均复合增长率达35.79%;在新能源汽车及光伏领域需求的带动下,全球SiC功率器件市场规模预计将会在2024年达到26.23亿美元。 为了更好地推动SiC产品研发落地
资讯ROHM发布创新TRCDRIVE pack模块,助力xEV逆变器升级2024-06-19
全球半导体制造巨头ROHM(总部位于日本京都市)近日宣布,面向300kW以下的xEV(电动汽车)用牵引逆变器,成功开发出了一款革命性的二合一SiC封装型模块——“TRCDRIVE pack”。这款模块共包含4款产品,旨在解决牵引逆变器在小型化、效率提升和减少工时等关键领域面临的挑战。