FDMC86570L 60 V N通道屏蔽栅极PowerTrench®MOSFET
安森美半导体的FDMC86570L(FDMC86570L 60 V N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET)保持卓越的开关性能
发布时间:2018-06-14
N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺生产,采用屏蔽栅极技术。该工艺针对导通电阻进行了优化,同时保持了卓越的开关性能。
FDMC86570L 60 V N通道屏蔽栅极PowerTrench®MOSFET特性
屏蔽栅极MOSFET技术
最大R DS(ON) =4.3mΩ,V GS = 10 V,I D = 18 A.
最大R DS(ON) =6.5mΩ,V GS = 4.5 V,I D = 15 A.
用于极低R DS(ON)的高性能技术
终止是无铅的
符合RoHS标准
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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| FDMC86570L | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH60V56APOWER33 | ¥12.34060 | 在线订购 |
应用案例
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