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FDMC86340 80 V N 沟道栅极屏蔽 Power Trench® MOSFET
ON Semiconductor 的 FDMC86340 （FDMC86340 80 V N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET）采用了栅极屏蔽技术
发布时间：2018-06-14
这款 N 沟道 MOSFET 采用 ON Semiconductor 的 Power Trench® 工艺制造，使用了栅极屏蔽技术。 这种工艺针对导通电阻进行了优化，并且仍保持了优异的开关性能。
FDMC86340 80 V N 沟道栅极屏蔽 Power Trench® MOSFET特性
栅极屏蔽 MOSFET 技术
最大 RDS(ON) = 6.5 mΩ，VGS = 10 V、LD = 14 A 时
最大 RDS(ON) = 8.5 mΩ，VGS = 8 V、LD = 12 A 时
实现超低 RDS(ON) 的高性能技术
无铅端接
符合 RoHS 规范
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMC86340 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V 48A POWER33 | ￥19.30419 | 在线订购 |
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安森美总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury说：“我们仍致力于通过扩大市场份额、加倍投资于战略市场，以及扩展我们业界领先的产品组合（包括模拟和混合信号解决方案）来推动增长。正如我们最近与大众汽车集团签订的供应协议所体现，随着我们在欧洲、北美和中国配合全球领先的整车厂商(OEM)扩产，这也不断巩固我们在汽车领域的碳化硅领导地位。”
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