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采用超小封装的低 RDS(on) MOSFET
NXP 种类丰富的采用较小 DFN2020 和 DFN1006 封装的高性能、低 RDS(on) MOSFET（Low RDS(on) MOSFETs in Ultra Small Packages）
发布时间：2018-06-14
了解 NXP 种类丰富的采用较小 DFN2020 和 DFN1006 封装的高性能、低 RDS(on) MOSFET。 这些产品可满足更高能效、更高功率密度和更低功耗的趋势。
适用便携设备的 SOT23 - DFN1006
比 SOT23 小 7 分之 1，但具有相同的功率耗散（350 mW)
2 个版本：基底面均为 1 x 0.6 mm，但高度分别为 0.37 mm (DFN1006B-3) 和 0.5 mm (DFN1006-3)
有广泛供应商基数支撑的多方外包：
5 家以上供应商提供基底面兼容封装
大的 MOSFET 产品组合范围和市面上提供的双极晶体管
支持 100 mA 至 1 A 宽电流范围
这些 MOSFET 是便携式设备电源管理单元中负载开关的极佳选择
2 X 2 x 0.65 mm DFN2020 单、双通道 MOSFET 具有最先进的功率密度：
仅占用 4 mm2 的安装面积，但具有与标准 SO-8 类似的热阻
针对开关性能和低 RDS(on) 而优化，该系列产品是便携式应用中电池/充电器开关和 DC/DC 转换器的理想之选
单 DFN2020 封装采用表面镀锡侧焊盘（“可湿性侧翼”），轻松实现焊接检测
采用超小封装的低 RDS(on) MOSFET特性
12-60 V P 沟道和 N 沟道类型
高达 3 kV HBM 的 ESD 保护产品类型
具有 AEC-Q101 认可的汽车类型
带有表面镀锡侧焊盘的产品类型
2.5 V 时小于 0.65 毫欧的较低 RDS(on) 值（仅限 DFN1006 类型）
RDS(on) 范围低至 10 毫欧和 ID 最高达 13 A（仅限 DFN2020 类型）
采用超小封装的低 RDS(on) MOSFET应用
小型、超薄和电池驱动型电子设备中的功率转换和开关功能
汽车、消费电子和工业领域的其它空间受限型应用
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | 2N7002BKMB,315 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=450mA RDS(ON)=1.6Ω@10V DFN1006B-3 | 在线订购 | |
 | | PMZB290UN,315 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=1A VDS=20V DFN1006B-3 | 在线订购 | |
| | PMZB350UPE,315 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 30V 350mW SMT SOT883B 1A P-Channel | ￥0.55128 | 在线订购 |
 | | NX3008NBKMB,315 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=0.53A VDS=30V DFN1006B-3 | 在线订购 | |
 | | NX3008PBKMB,315 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±8V ID=300mA RDS(ON)=4.1Ω@4.5V | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PMDPB58UPE,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 Dual P-channel Id=4.5A VDS=20V DFN2020-6 | ￥2.00254 | 在线订购 |
 | | PMPB15XP,115 | MOSFETs-晶体管 | 表面贴装型 P 通道 12 V 8.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6 | ￥2.89440 | 在线订购 |
 | | PMC85XP,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 P-channel Id=3.4A VDS=30V DFN2020-6 | 在线订购 | |
 | | PMPB11EN,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=13A VDS=30V SOT1220 | ￥1.64050 | 在线订购 |
 | | PMPB33XP,115 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 20V 1.7W SMT SOT1220 7.9A P-Channel | 在线订购 | |
| | PMPB20EN,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=10.4A VDS=30V DFN2020MD-6 | ￥0.97220 | 在线订购 |
| | PMPB48EP,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 P-channel Id=6.8A VDS=30V DFN2020MD-6 | 在线订购 | |
| | PMPB15XN,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=10.4A VDS=20V DFN2020MD-6 | 在线订购 | |
 | | PMDPB70XP,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 Dual P-channel Id=3.8A VDS=30V DFN2020-6 | ￥1.66543 | 在线订购 |
| | PMDPB85UPE,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 Dual P-channel Id=3.7A VDS=20V DFN2020-6 | 在线订购 |
应用案例
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随着设计人员打破应用性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去，具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是，为了满足特定的应用要求或功能，越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如，应用可能要求软启动、扩展的安全工作区域、可靠的线性模式性能或增强的保护。在Nexperia，我们将久经验证的MOSFET专业知识和广泛的应用认知相结合，打造了一系列更丰富的应用专用MOSFET。
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