沟槽型场截止 IGBT
ON Semiconductor 推出用于高能效电源转换的高性能场截止 IGBT(Trench and Field Stop IGBTs)
发布时间:2018-06-14
ON Semiconductor 的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 采用坚固的高性价比场截止 (FS) 沟槽式结构,拥有苛刻的开关应用所需的优异开关性能。这款 IGBT 实现了低导通电压和最小开关损耗,非常适用于谐振或软启动开关应用。器件内含一个坚固的组合封装型续流二极管,具有低正向电压。
沟槽型场截止 IGBT特性
使用沟槽实现低饱和电压,采用场截止技术
低开关损耗降低了系统的功率耗散
低栅极电荷
5 [1] s 短路能力
无铅器件
沟槽型场截止 IGBT应用
逆变器焊机
微波炉
工业开关
电机控制逆变器
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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| NGTB20N120LWG | MOSFETs-晶体管 | IGBT 1200V 40A 192W TO247-3 | 在线订购 | ||
| NGTB15N120LWG | MOSFETs-晶体管 | IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 | 在线订购 | ||
| NGTB25N120LWG | MOSFETs-晶体管 | IGBT 1200V 50A 192W TO247-3 | 在线订购 |