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    沟槽型场截止 IGBT

    沟槽型场截止 IGBT

    ON Semiconductor 推出用于高能效电源转换的高性能场截止 IGBT(Trench and Field Stop IGBTs)

    发布时间:2018-06-14

    ON Semiconductor 的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 采用坚固的高性价比场截止 (FS) 沟槽式结构,拥有苛刻的开关应用所需的优异开关性能。这款 IGBT 实现了低导通电压和最小开关损耗,非常适用于谐振或软启动开关应用。器件内含一个坚固的组合封装型续流二极管,具有低正向电压。

    沟槽型场截止 IGBT特性

    • 使用沟槽实现低饱和电压,采用场截止技术

    • 低开关损耗降低了系统的功率耗散

    • 低栅极电荷

    • 5 [1] s 短路能力

    • 无铅器件

    沟槽型场截止 IGBT应用

    1. 逆变器焊机

    2. 微波炉

    3. 工业开关

    4. 电机控制逆变器

    Trench and Field Stop IGBTs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
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