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第 2 代高压 SiC MOSFET
ROHM 的首款带有 SiC SBD 的共同封装式 SiC MOSFET（2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
ROHM 的最新 SiC MOSFET 系列不会产生拖尾电流，且拥有体二极管的快速特性，因此相比硅 IGBT 器件大大降低了开关损耗，降幅高达 90%。 上述特性使器件能在 70 ns - 90 ns 内完成导通/关断，从而使开关频率范围达到数十万赫兹，所以，能减小无源元件的尺寸和重量，并通过用更小、更轻的无源风冷散热器替换液体或强制风冷热管理器件来实现体积更小、成本更低的冷却系统，让设计人员设计出能效更高的系统。
通过改进与晶体缺陷和器件结构相关的工艺，将每单位面积导通电阻降低了约 30%（相比传统产品），ROHM 还成功地克服了因反向导通（例如，增加了导通电阻、正向电压和电阻老化）期间体二极管降额和栅极氧化膜过早失效造成的特性老化问题。
除了标准产品线，ROHM 还提供常用的 SCH2080KE，这是业内首款共同封装了一个分立式反并联碳化硅肖特基势垒二极管的碳化硅 MOSFET，与体二极管相比，正向电压小了三倍。 相比同等的分立式解决方案，功率损耗降至最低（小了 70% 或更多），同时节省并宝贵的板空间、简化了布局并降低了 BOM 成本。
第 2 代高压 SiC MOSFET特性
高速开关（典型 ton = 70 纳秒，toff = 98 纳秒）
同类领先的低导通电阻，具有最小的温度相关性
大幅降低了功率损耗——无尾电流，相比硅 IGBT，开关损耗降低了 80%
可防止因寄生二极管导通造成的降额
共同封装式 SiC SBD (SCH2080KE) 降低了正向电压和外部零件数，节省空间
第 2 代高压 SiC MOSFET应用
DC/DC 转换器
太阳能逆变器
三相逆变器
电力调节器
不间断电源 (UPS)
电动和混合动力汽车逆变器
交流逆变器
工业设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SCH2080KEC | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 | 在线订购 | |
| | SCT2160KEC | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247 | 在线订购 | |
| | SCT2450KEC | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247 | 在线订购 | |
 | | SCT2280KEC | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 | 在线订购 | |
 | | SCT2120AFC | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB | 在线订购 | |
| | SCT2080KEC | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 | 在线订购 |
应用案例
资讯ROHM发布创新TRCDRIVE pack模块，助力xEV逆变器升级2024-06-19
全球半导体制造巨头ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，成功开发出了一款革命性的二合一SiC封装型模块——“TRCDRIVE pack”。这款模块共包含4款产品，旨在解决牵引逆变器在小型化、效率提升和减少工时等关键领域面临的挑战。
资讯ROHM开发出新型二合一SiC封装模块TRCDRIVE pack2024-06-19
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”，共4款产品。
资讯ROHM发布创新超小型CMOS运算放大器TLR377GYZ2024-06-12
全球半导体行业的佼佼者ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，成功开发出一款革命性的超小型封装CMOS运算放大器——TLR377GYZ。这款新产品专为智能手机和小型物联网设备等现代电子设备设计，能够精准放大温度、压力、流量等传感器的检测信号。
资讯ROHM开发出世界超小CMOS运算放大器2024-06-12
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超小型封装的CMOS运算放大器“TLR377GYZ”，该产品非常适合在智能手机和小型物联网设备等应用中放大温度、压力、流量等的传感器检测信号。
资讯AMEYA360| 罗姆开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”2024-06-12
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(电动汽车)用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品(750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1)。TRCDRIVE pack™的功率密度高，并采用ROHM自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。 近年来，在致力于实现无碳社会的进程中，汽车的电动化发展迅速，这促进了更高效、更小型、更轻量的电动动力总成
资讯AMEYA360代理品牌：ROHM开发出世界超小CMOS运算放大器，适用于智能手机和小型物联网设备等应用2024-06-11
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超小型封装的CMOS运算放大器“TLR377GYZ”，该产品非常适合在智能手机和小型物联网设备等应用中放大温度、压力、流量等的传感器检测信号。 智能手机和物联网终端越来越小型化，这就要求搭载的元器件也要越来越小。另一方面，要想提高应用产品的控制能力，就需要高精度地放大来自传感器的微小信号，因此需要在保持高精度的前提下实现小型化。在这样的背景下，ROHM通过进一步改进多年来
资讯ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”2024-06-11
小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化！ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1）。TRCDRIVE pack™的功率密度高，并采用ROHM自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。 近年来，在致力于实现无碳
资讯ROHM开发出世界超小CMOS运算放大器， 非常适用于智能手机和小型物联网设备等应用2024-06-06
～输入失调电压低且噪声低，有助于提高传感器电路的精度～ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超小型封装的CMOS运算放大器“TLR377GYZ”，该产品非常适合在智能手机和小型物联网设备等应用中放大温度、压力、流量等的传感器检测信号。 智能手机和物联网终端越来越小型化，这就要求搭载的元器件也要越来越小。另一方面，要想提高应用产品的控制能力，就需要高精度地放大来自传感器的微小信号，因此需要在保持高精度的
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