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FDMS86350 - 80 V N 沟道 PowerTrench® MOSFET
ON Semiconductor 的 N 沟道 MOSFET （FDMS86350 - 80 V N-Channel PowerTrench® MOSFET）能够最小化导通电阻并保持出色的开关性能
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的 N 沟道 MOSFET 采用 ON Semiconductor 先进 Power Trench® 工艺制造，并经过专门定制，以便在保持出色开关性能的同时最大限度地减小导通电阻。
FDMS86350 - 80 V N 沟道 PowerTrench® MOSFET特性
VGS = 10 V、LD = 25 A 时，最大 RDS(on) = 2.4 mΩ
VGS = 8 V、LD = 22 A 时，最大 RDS(on) = 3.2 mΩ
先进的封装和硅组合，具有低 RDS(ON) 和高能效
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMS86350 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 | ￥24.45590 | 在线订购 |
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