购物车
上传BOM
CGHV27200 电信晶体管
来自 Cree 的用于 LTE 的 200 W、2500-2700 MHz、GaN HEMT（CGHV27200 Telecom Transistor）
发布时间：2018-06-14
Cree 的 CGH55030F2 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专用于实现高能效、高增益和宽带宽功能。 这使得 CGHV27200 非常适合用于 2.5 至 2.7 GHz LTE 和 BWA 放大器应用。 该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
CGHV27200 电信晶体管特性
2.5 至 2.7 GHz 工作频率
16 dB 增益
40 W PAVE 时，-37 dBc ACLR
40 W PAVE 时，能效为 30%
可应用高度 DPD 校正
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | CGHV27200F | MOSFETs-晶体管 | RF Mosfet HEMT 50V 1A 2.5GHz ~ 2.7GHz 15dB ~ 16dB 200W 440162 | 在线订购 | |
 | | CGHV27200-TB | RF其它IC和模块-射频器件 | EVAL BOARD FOR CGHV27200 | ￥4295.13721 | 在线订购 |
应用案例
资讯CGHV14250 L波段放大器CREE2023-04-24
Wolfspeed的CGHV14250是种致力于高效化设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带宽性能；从而使CGHV14250成为1.2–1.4GHzL波段雷达放大器应用领域的最佳选择。CGHV14250晶体管适合于从UHF到1600MHz的特殊频率段技术应用。封装的选项有陶瓷/金属法兰和药丸式封装。 特征 FET调谐范围UHF至1800MHz 330W常见额定功率 18dB功率增益值 77%常见栅极高效率 内部预适配输入；前所未有的输入输出 技术应用 L波段雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多
资讯CGHV60170D L波段放大器CREE2023-04-11
Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较，CGHV60170D具备更优越的使用性能；包含更高击穿场强；更高饱和电子偏移速率；和更高传热性。与Si和GaAs晶体管相比较，CGHV60170D具有更强的功率密度和更宽的带宽。 特征 65%的常见功率附带高效率 170W经典PSAT 50伏操控 高击穿场强 高至6GHz的操作频率 应用 宽带放大器 战略通讯设备 卫星通讯 工业化，科学和医疗放大器电路 ClassA;AB；主要用于OFDM的线型放大器电路；无线频分多
资讯L波段放大器CGH40120介绍2023-04-04
Wolfspeed的CGH40120是前所未有的；氮化镓(GaN)；高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40120选用28伏电源供应；具备通用型；各种射频和微波应用宽带宽解决方案。GaNHEMT具备高效化；高增益和宽带宽宽性能；使CGH40120成为了线型和压缩功率放大电路的最佳选择。CGH40120选用金属陶瓷丸和法兰盘封装。 特征 高至2.5GHz的操作 1.0GHz时的20dB小信号增益值 2.0GHz时的15dB小信号增益值 120W典型PSAT PSAT效率为70% 28伏操控 应用 2路专用型无线通信 宽带放大器 蜂窝基础设施建设 测试设
资讯C波段功率放大器CMPA5259025介绍2022-09-22
Wolfspeed的CMPA5259025F专门为实现高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益;和宽带宽性能；从而使得CMPA5259025F特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259025F选用陶瓷/金属法兰封装。 特征 30dB小信号增益值 PSAT的效率为50% 电压高达28V 高击穿电压 应用 雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的
资讯C波段功率放大器CMPA601C025简介2022-09-19
Wolfspeed的CMPA601C025以氮化镓为载体(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT)单片微波集成电路(MMIC)，处于碳化硅衬底上；采用0.25-μm栅极长度的技术工艺。与硅相比较，SiC上的GaN性能更强；GaAs或GaNonSi；包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si相比较，GaNHEMT还提供了更高的功率密度和更宽的频带宽度；GaAs；和GaNonSi晶体管。CMPA601C025无功功率配对放大器的设计思路能够实现非常宽的频带宽度。 特征 34dB小信号增益值 40W典型PSAT 电压
资讯基本半导体碳化硅B1M080120HC助力光伏逆变器设计2022-08-27
基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆变器设计
资讯赋能未来，勇往直前---科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章2021-03-17
在2011年，在经过了将近二十年的研发之后，科锐推出了全球首款SiC MOSFET。尽管业界先前曾十分怀疑这是否可能实现。
资讯LED灯珠结构分析2021-11-29
Cree灯珠内部空洞 ymf
工商网监