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50 A VRPower® 解决方案 (DrMOS)
Vishay 的 50 A VRPower SiC780/A 集成了高压侧和低压侧 MOSFET（50 A VRPower® Solution (DrMOS)）
发布时间：2018-06-14
Vishay Siliconix 的 SiC780/A 是一款集成了高、低压侧 MOSFET 和 MOSFET 驱动器，并针对同步降压应用进行了优化的 50 A VRPower 解决方案。该器件符合 Intel 4.0 DrMOS 标准，能够提供高达 50 A 的连续输出电流，并可以工作在 4.5 V 至 16 V 的输入电压范围。SiC780/A 适合高至 1 MHz 的高开关频率，并兼容三态 PWM 逻辑（对于 SiC780A 为 3.3 V，对于 SiC780 为 5 V）。该器件针对 0.8 V 至 2 V 输出电压进行了优化。
50 A VRPower® 解决方案 (DrMOS)特性
在整个满负载范围内实现了高能效，具有 SMOD 轻负载模式
更好的热性能
集成式肖特基二极管
50 A VRPower® 解决方案 (DrMOS)应用
服务器
机架服务器
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| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIC780CD-T1-GE3 | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | IC BUCK ADJ 50A 40MLP | ￥10.70036 | 在线订购 |
| | SIC780ACD-T1-GE3 | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | IC BUCK ADJ 50A 40MLP | 在线订购 |
应用案例
资讯Vishay 推出应用于对安全要求极高的电子系统的新款1 Form A固态继电器2024-12-13
这款节省空间的工业级器件提供了典型值为 0.3 ms 的快速导通时间和 2 nA 的低漏电流 美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2024 年 12 月 11 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款1 Form A固态继电器---VOR1060M4，该器件采用薄形SOP-4封装，提供600 V负载电压和3750 VRMS隔离电压。Vishay VOR1060M4旨在为储能、工业和移动应用提供快速开关，可提供0.3 ms的快速导通时间（典型值）和2 nA的低漏电流。 日前发布的这款光隔离
资讯威世科技推出新款固态继电器VOR1060M42024-12-12
近日，全球领先的电子元件制造商威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布，正式推出其最新款1 Form A固态继电器——VOR1060M4。这款固态继电器采用了紧凑的薄形SOP-4封装，集高性能与便捷性于一身。 VOR1060M4的设计充分考虑了储能、工业和移动应用的需求。它提供了高达600V的负载电压和3750 VRMS的隔离电压，确保了在不同应用场景下的可靠性和安全性。同时，该固态继电器还具备出色的开关性能，提供了0.3ms的快速导通时间(典型值)，能够满足对开关速度有严格
资讯Vishay投资5100万英镑升级NWF晶圆厂2024-12-02
Vishay Intertechnology（威世科技），一家全球知名的分立半导体和无源元件制造商，近日宣布将向位于威尔士纽波特的晶圆厂（Newport Wafer Fab，NWF）投资5100万英镑。该晶圆厂是Vishay在今年早些时候从Nexperia（安世半导体）手中强制收购而来的。
资讯Vishay推出1 Form A固态继电器VORA1010M42024-10-28
日前，全球领先的电子元件制造商威世科技（Vishay Intertechnology, Inc.）宣布推出其业内先进的1 Form A固态继电器——VORA1010M4。这款固态继电器不仅通过了AEC-Q102认证，具备卓越的可靠性，而且其负载电压高达100V，为各类应用提供了强有力的支持。
资讯Vishay威世科技荣获大陆汽车电子（长春）有限公司2023年供应链卓越奖2024-07-05
日前，Vishay 宣布，公司荣获大陆汽车电子（长春）有限公司 2023 年度供应链卓越奖，该公司是《财富》世界 500 强企业德国大陆集团在长春的研发和生产基地。此项大奖旨在表彰 Vishay 对大陆汽车电子（长春）公司的杰出贡献，特别是快速响应和高质量服务，以及应对紧急订单变化的灵活性。 大陆汽车电子（长春）公司研发生产汽车电子元器件，广泛用于车联网（IoV）、智慧交通、安全系统等领域。其客户包括在中国的几乎所有一级整车厂，产品出口
资讯Vishay漏极至源极耐压MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE32024-10-25
VishayTrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET，具有业内超低导通电阻RDS(on)的特性，进一步降低了导通损耗以及功耗。并拥有低栅极总电荷的特性。采用PowerPAKSO-8封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。应用于大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。应用框图特性源漏极导通
资讯Vishay推出超小型车规级ESD保护二极管2024-10-22
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出了一款全新的车规级双向单路ESD（静电放电）保护二极管——VETH100A1DD1。这款器件采用了易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN1006-2B小型封装，专为车载以太网应用而设计。
资讯Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性2024-07-05
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用 MPS 结构设计，额定电流 5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代 SiC 二极管包括 5 A 至 40 A 器件，采用 TO-220AC 2L、TO-247AD 2L 和 TO-247AD 3L 插
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