用于电信电源应用的100 V FastIRFET™
International Rectifier的IRFH7185TRPbF 100 V FastIRFET™功率MOSFET(100 V FastIRFET™ For Telecom Power Supply Applications)为电信应用中使用的DC-DC电源提供基准性能
发布时间:2018-06-14
IRFH7185TRPbF 100 V FastIRFET™功率MOSFET为电信应用中使用的DC-DC电源提供基准性能。该器件采用PQFN 5x6封装,提供业界最低的RDS(on)* Qg品质因数。它采用IR的新型100 V FastIRFET™工艺,在电源应用中提供基准性能。IRFH7185是该系列的第一部分; TO-220,D2-PAK和更多PQFN将在2014年晚些时候推出。
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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| IRFH7185TRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 100V 19A 8QFN | 在线订购 |
应用案例
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2024 年 7 月 24 日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术,开启了电力系统和能量转换的新篇章,适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。 贸泽供货的英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中树立高质量标杆,并进一步利用英飞凌独特的
资讯亿纬锂能与英飞凌携手共创电池管理新纪元2024-07-24
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资讯亿纬锂能与英飞凌签署合作备忘录2024-07-24
7月22日,亿纬锂能与英飞凌科技(上海)有限公司(以下简称“英飞凌”)在广东惠州签署合作备忘录,英飞凌科技高级副总裁及汽车业务大中华区负责人曹彦飞、副总裁Remmers Robert、高级销售总监万向军,亿纬锂能联合创始人、总裁刘建华,电池系统研究院院长江吉兵,电池系统研究院副院长万里平等双方领导出席并见证签约。英飞凌科技汽车业务动力与新能源系统大中华区负责人仲小龙、亿纬锂能供应链管理中心副总裁冯俊卿代表双方签约。
资讯基于Infineon TC387QP+TLF35584+TLE9180D+2ED4820+BTH500xx的48V EEA方案2024-07-23
Infineon推出了Power PROFET™ +24V/48V系列智能高边功率开关,可以在24/48V电压下可靠的开关大电流负载。该系列继承了Infineon智能功率器件的一贯优点,低导通电阻,高精度,诊断保护丰富。芯片采用TOLL (PG-HSOF-8)封装结构紧凑,热阻低,提供了出色的功率密度。目前BTH50015-1LUA、BTH50030-1LUA已经支持申请样品测试。
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