IXYS Corporation 为其基准 XPT IGBT 产品线推出新型 600 V 分立器件。 这些全新分立 IGBT 为要求高度坚固、低损耗半导体器件的市场量身定制，可轻松实现并联配置。 这些特色器件在各种应用中展示了出色的性能和卓越的坚固性，如逆变器、不间断电源、电机驱动器、开关模式电源、功率因数校正电路、电池充电器、焊接机和灯泡镇流器。
这些新型分立式 XPT IGBT 的初期版本将包括电流额定值在 100 A 至 210 A 的器件。利用 IXYS 的极弱 PT (XPT) 设计平台，这些新器件实现了出色的电气特性，包括两个低至 1.8 V 的典型 Vcesat、很快的典型电流下降时间（tfi 快至 42 ns）、很小的典型单脉冲关断能量（Eoff 低至 0.33 mJ）。 此外，这些器件在开关期间和短路条件下均表现出超凡的坚固耐用性，为器件的坚固耐用性确立了新标杆。 这样的性能得益于 10 us 短路安全工作区域 (SCSOA)、动态雪崩额定值，以及一个高达器件阻断电压的方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)。 而且，这些器件还具有更宽的正向偏置安全工作区 (FBSOA)，因此能实现器件的功率极限值规定的“更宽的工作窗口”，最终提升坚固耐用性和可靠性。
IXYS XPT IGBT 采用两个特有的速度分级，分别为 B3 和 C3 级。 B3 和 C3 速度分级为设计人员带来一种更灵活的器件选择方法，让他们能考虑如开关频率、饱和电压和成本等关键要求。 B3 级器件在导通和开关损耗之间达到了出色的平衡，且经过优化后可用于 10 kHz 到 30 kHz 硬开关频率。 C3 级器件经过优化后实现了最低开关损耗，建议用于 20 kHz 到 60 kHz 硬开关频率。