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NextPowerS3 MOSFET
NXP 提供 NextPowerS3 MOSFE（NextPowerS3 MOSFETs）T：具有低漏泄电流的集成肖特基性能
发布时间：2018-06-14
NXP 提供采用独特“SchottkyPlus”技术的的高性能 30 V NextPowerS3 MOSFET。 这是首款具有以下特性的 MOSFET 器件：高频和低尖峰性能（通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 才有这种性能），且没有高泄漏电流问题。 NextPowerS3 MOSFET 应用广泛，包括用于电信和云计算、高性能便携式计算的高性能电源、电池供电型电机控制，如可充电电动工具。
NextPowerS3 MOSFET特性
通过超低Q G、Q GD和Q OSS实现系统高能效
降低了开关节点的电压尖峰；抗EMI
采用独特的SchottkyPlus 技术、无高泄漏电流的集成肖特基性能
无键合线或者胶粘剂；能够承受175°C 温度
NextPowerS3 MOSFET应用
针对服务器和电信应用的板载DC/DC 解决方案
电信应用中的次级侧同步整流
稳压器模块(VRM)
负载点模块
向V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA 和系统元件供电
有刷和无刷电机控制
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PSMN2R4-30MLDX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=70A VDS=30V SOT1210 | ￥3.17630 | 在线订购 |
 | | PSMN7R5-30YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=51A VDS=30V SOT669 | 在线订购 | |
| | PSMN4R0-30YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 30V 64W SMT SOT669 95A N-Channel | ￥3.35880 | 在线订购 |
 | | PSMN1R4-30YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=100A VDS=30V SOT669 | 在线订购 | |
 | | PSMN4R2-30MLDX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=70A VDS=30V SOT1210 | ￥4.32000 | 在线订购 |
| | PSMN3R0-30YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 30V 91W SMT SOT669 100A N-Channel | ￥1.83320 | 在线订购 |
| | PSMN2R4-30YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 30V 106W SMT SOT669 100A N-Channel | ￥2.51680 | 在线订购 |
| | PSMN7R5-30MLDX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=57A VDS=30V SOT1210 | ￥2.35620 | 在线订购 |
| | PSMN1R2-30YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 30V 194W SMT SOT669 250A N-Channel | ￥5.79700 | 在线订购 |
| | PSMN1R0-30YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=300A VDS=30V SOT669 | ￥12.34440 | 在线订购 |
| | PSMN0R9-30YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=300A VDS=30V SOT1023 | ￥23.70446 | 在线订购 |
| | PSMN1R0-40YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 40V 198W SMT SOT1023 280A N-Channel | ￥7.83713 | 在线订购 |
 | | PSMN1R4-40YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=240A VDS=40V SOT669 | ￥7.08480 | 在线订购 |
| | PSMN6R0-30YLDX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=66A VDS=30V SOT669 | ￥3.80160 | 在线订购 |
应用案例
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