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650 V IGBT HB 系列
来自 STMicroelectronics 的节能型大功率系列晶体管（650 V IGBT HB Series）提升了能效、安全性和可靠性
发布时间：2018-06-14
STMicroelectronics 的 HB 系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比高频设备，其关断能耗降低了 40%，同时传导损耗也降低了 30%。 HB 系列采用 ST 先进的沟槽式栅极场截止高速技术，具有最小的集电极关断尾电流，且饱和电压（Vce(sat)) 低至 1.6 V（典型值），因此最大程度地降低了切换和接通时的能量损失。 此外，这种技术非常便于控制，参数分布窗口紧密、增强了可重复性、简化了系统设计。
ST 的 HB 系列 IGBT 提升了太阳能逆变器、感应加热器、焊机、不间断电源、功率因数校正以及其他高频功率转换器的能效。 650 V 的扩展电压额定值可确保在低至 -40°C 的环境温度中具有至少 600 V 击穿电压，因而使得这些器件非常适用于在寒冷地区销售的太阳能逆变器。 最高工作结温为 175°C 和宽安全工作区 (SOA) 提高了可靠性，因此可使用更小的散热器。 产品选择包括 30 A 至 80 A (100°C 时）的最大额定电流范围、最受欢迎的功率封装，以及针对谐振式或硬开关电路进行了优化的共封装二极管。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STGWT30H65FB | MOSFETs-晶体管 | IGBT Trench Field Stop 650V 30A 260W Through Hole TO-3P | 在线订购 | |
 | | STGWT40H65FB | MOSFETs-晶体管 | IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L | 在线订购 | |
 | | STGWT40H65DFB | MOSFETs-晶体管 | IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L | 在线订购 | |
| | STGWT60H65FB | MOSFETs-晶体管 | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P | 在线订购 | |
 | | STGY80H65DFB | MOSFETs-晶体管 | IGBT 650V 120A 469W MAX247 | 在线订购 | |
 | | STGW30H65FB | MOSFETs-晶体管 | IGBT Trench Field Stop 650V 30A 260W Through Hole TO-247 | 在线订购 | |
 | | STGW40H65FB | MOSFETs-晶体管 | IGBT 650V 80A 283W TO247 | ￥26.35200 | 在线订购 |
 | | STGWT80H65DFB | IGBT-晶体管 | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L | ￥30.25477 | 在线订购 |
| | STGW40H65DFB | MOSFETs-晶体管 | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247 | ￥20.81160 | 在线订购 |
| | STGW60H65DFB | IGBT-晶体管 | IGBT TO247 VCES=650V Ic=60A 375W | 在线订购 | |
| | STGW80H65DFB | MOSFETs-晶体管 | IGBT 650V 120A 469W TO-247 | ￥58.71960 | 在线订购 |
| | STGWT60H65DFB | MOSFETs-晶体管 | IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L | ￥21.00384 | 在线订购 |
| | STGW60H65FB | MOSFETs-晶体管 | IGBT 650V 80A 375W TO247 | ￥29.76480 | 在线订购 |
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