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“无电流拖尾”600 V IGBT V 系列
STMicroelectronics 的 IGBT V 系列（"Tail-Less" 600 V IGBT V Series）拥有业内最低的 Eoff
发布时间：2018-06-14
STMicroelectronics 先进的 600 V 沟槽式栅极场截止 IGBT V 系列具有平稳的无电流拖尾关断特性、低至 1.8 V 饱和电压、175°C 最高工作结温，从而能实现更优的系统能效、更高的开关频率和更简化的热和 EMI 设计。
ST 的全新器件通过消除传统 IGBT 的关断电流拖尾提高了开关频率和最高工作频率，并采用有助于提升开关性能和改善散热的超薄芯片厚度。 专有的优化型沟槽式栅极场截止工艺改善了热阻性能，将最高结温提升至 175°C，并实现了对饱和电压等参数的高精度控制，从而允许多个 IGBT 并联，实现更大的电流密度和更高的导通能效。
这些全新 IGBT 极其稳定，具有很高的 dV/dt 能力。 同一封装中的超快软恢复二极管能将导通损耗降至最低。 还可提供适合大多数成本敏感型应用的无二极管版本。
ST 的 V 系列 IGBT 在产产品的额定电流为 20 A 至 80 A，现采用 TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247 或 D2PAK 封装。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STGW20V60DF | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 40A 167W TO247 | ￥31.05000 | 在线订购 |
| | STGW40V60DLF | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 80A 283W TO247 | ￥30.70440 | 在线订购 |
 | | STGW30V60F | MOSFETs-晶体管 | IGBT600V60A260WTO247 | ￥25.55300 | 在线订购 |
 | | STGP20V60DF | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 40A 167W TO220AB | 在线订购 | |
 | | STGW20V60F | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 40A 167W TO247 | 在线订购 | |
 | | STGFW20V60F | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 40A 52W TO3PF | 在线订购 | |
 | | STGP30V60DF | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 60A 258W TO220AB | ￥33.62040 | 在线订购 |
| | STGW40V60DF | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 80A 283W TO247 | ￥21.22200 | 在线订购 |
| | STGFW30V60F | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 60A 58W TO3PF | 在线订购 | |
| | STGW30V60DF | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 60A 258W TO247 | ￥23.11750 | 在线订购 |
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