GigaMOS™ 功率 MOSFET
IXYS Corporation 的 GigaMOS 功率 MOSFET (GigaMOS™ Power MOSFETs)适用于高功率开关应用
发布时间:2018-06-14
IXYS Corporation 的 170 V 至 300 V GigaMOS 功率 MOSFET 系列的电流能力高达 260 A。 这款功率 MOSFET 采用紧凑外壳封装,能让设计人员在较小的基底面内控制更大的功率。 此外,还能让设计人员在大功率开关应用中减少或消除多个较低电流级 MOSFET 器件并联。 这样,就能减少零件以及所需的驱动元件数量,从而提升系统总体可靠性,降低系统总成本。 这些功率 MOSFET 针对广泛的高功率应用中的出色开关性能进行了优化。
GigaMOS™ 功率 MOSFET特性
高电流能力(可达 260 A)
低 Rds(on) 和栅极电荷 (Qg)
采用 IXYS HiPerFET™ 技术,实现了快速功率切换性能
雪崩能力
无需多个较低电流 MOSFET 器件并联
提高了系统整体可靠性,降低了成本
能在较小的基底面内开关更高的功率
GigaMOS™ 功率 MOSFET应用
高速功率开关应用
DC 至 DC 转换器
充电器
开关模式和谐振模式电源
DC 斩波器
AC 电机驱动器
不间断电源
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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| IXFX180N25T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247 | ¥121.72233 | 在线订购 | |
| IXFK160N30T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 300V 160A TO-264 | 在线订购 | ||
| IXFX230N20T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 | ¥142.05908 | 在线订购 | |
| IXFK230N20T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 200V 230A TO-264 | ¥162.80498 | 在线订购 | |
| IXFN230N20T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | ¥325.65242 | 在线订购 | |
| IXFN180N25T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 | ¥258.73526 | 在线订购 | |
| IXFK170N20T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 200V 170A TO-264 | ¥139.32938 | 在线订购 | |
| IXFX160N30T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247 | ¥171.97772 | 在线订购 | |
| IXFK180N25T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 250V 180A TO-264 | ¥125.21801 | 在线订购 | |
| IXFX120N30T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247 | 在线订购 |