Vishay Siliconix 宣布推出全新的 30 V、非对称、双通道 TrenchFET 功率 MOSFET，该器件采用 PowerPAIR® 3 mm × 3 mm 封装和第四代 TrenchFET 技术。 相比采用这种封装尺寸的前一代器件，Vishay Siliconix SiZ340DT 的导通电阻降低了 57%，功率密度提升了 25%，且能效提升了 5%。该器件通过在紧凑的封装中纳入一个高和低压侧 MOSFET，从而帮助高能效同步降压转换器降低了功耗、节省了空间并简化了设计。 SiZ340DT 的第四代 TrenchFET 技术采用先进的高密度设计，减少了导通电阻并优化了栅极电荷。 SiZ340DT 显著降低了功耗，能效比竞争产品更高，尤其是在 10 A 和更高输出电流情况下。 有了这种更高的能效，SiZ340DT 可以以相同的输出负载，实现比前一代器件低 30% 的运行温度，或提供更高的功率密度。 对于具有 10 A 至 15 A 输出电流和低于 2 V 输出电压的典型 DC/DC 拓扑结构来说，这款紧凑型 3 mm × 3 mm 的 SiZ340DT 相比使用分立器件的解决方案（例如用于高压侧的 PowerPAK® 1212-8 MOSFET 和用于低压侧的 PowerPAK SO-8）来说，其潜在 PCB 空间节省多达 77%。 该器件降低了切换损耗，并允许使用超过 450 kHz 的更高开关频率，因此可通过使用更小的电感器和电容器来缩小 PCB 尺寸。