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UCC27611 高速单栅极驱动器
TI 的 4 A 和 6 A 优化型单栅极驱动器针对 5 V 驱动进行了优化（UCC27611 High-Speed Single Gate Driver）
发布时间：2018-06-14
Texas Instruments 的 UCC27611 是一款针对 5 V 驱动进行了优化的单通道、高速、栅极驱动器，尤其适用于 GaN FET 增强模式。 驱动电压 VREF 由内部线性稳压器精确控制到 5 V。UCC27611 具有非对称轨至轨峰值电流驱动能力，且提供 4 A 拉出和 6 A 灌入电流。 分离式输出配置可根据 FET 进行单独的接通和断开时间优化。
采用寄生电感最低的封装和引脚布局，减少了上升和下降时间并限制了振铃效应。 此外，具有最小容差和变化的短传播延迟有助于在高频下实现有效运行。 2Ω 和 0.3Ω 上拉和下拉电阻能在高 dV 和 dt 压摆率情况下增强对硬开关动作的抗扰能力。
UCC27611 高速单栅极驱动器特性
增强模式氮化镓 FET (eGANFETs)
4.0 V 至 18 V 单电源电压范围
驱动器电压VREF 调节至 5 V
4 A 峰值拉出和 6 A 峰值灌入驱动电流
1 Ω 和 0.35 Ω 上拉和下拉电阻（最大限度地增强高 dV 和 dt 压摆率的抗扰能力）
分离式输出配置（允许针对单独 FET 进行开启和断开优化）
快速传播延迟（典型值为 14 ns）
快速上升和下降时间（典型值分别为 9 ns 和 4 ns）
TTL 和 CMOS 兼容输入（独立于电源电压，可轻松连接数字和模拟控制器）
双输入设计提高了驱动灵活性（反相和非反相配置）
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | UCC27611DRVT | 栅极驱动-电源管理 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON | ￥14.21280 | 在线订购 |
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