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SOT-23 MOSFET 产品线
低 RDS(ON) FET （SOT-23 MOSFET Lineup）具有出色的电流和功率耗散特性
发布时间：2018-06-14
Toshiba 的 SOT-23F MOSFET 产品线设计用于半功率应用。 这些器件为电流高达 6 A、电压高达 40 V 的电源轨提供了一种简单的 FET 开关功能。
Toshiba 的 UMOSVII-H MOSFET 工艺可显著降低栅极开关电荷和导通电阻 (RDS(ON))，因此功率效率很高。 Toshiba 的 SOT-23F 封装 (2.9 mm x 2.4 mm) 具有出色的功率耗散性能，能够安装在行业标准的 SOT-23 封装焊盘布局中。
SOT-23 MOSFET 产品线应用
锂离子电池保险丝脱扣器
电池电源开关
低/半功率负载开关
继电器驱动器
无线充电传输
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SSM3K339R,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F | ￥0.65094 | 在线订购 |
 | | SSM3K329R,LF | MOSFETs-晶体管 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：126mΩ@4V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA | ￥1.23585 | 在线订购 |
 | | SSM3J332R,LF | MOSFETs-晶体管 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA | ￥0.31774 | 在线订购 |
| | SSM3J334R,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F | ￥0.65933 | 在线订购 |
| | SSM3K333R,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A | ￥0.23253 | 在线订购 |
| | SSM3K335R,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F | 在线订购 | |
| | SSM3K337R,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 38V 2A | ￥3.17610 | 在线订购 |
 | | SSM3J328R,LF | MOSFETs-晶体管 | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=29.8mΩ SOT23F | ￥2.36670 | 在线订购 |
 | | SSM3K324R,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F | ￥0.39420 | 在线订购 |
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