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    碳化硅肖特基分立式二极管

    碳化硅肖特基分立式二极管

    Global Power Technologies Group 推出可提升电路能效的 SIC 肖特基二极管(Silicon Carbide Schottky Discrete Diodes)

    发布时间:2018-06-14

    Global Power Technologies Group 推出其碳化硅功率肖特基分立式二极管。 这些产品的优势在于在工作温度下做了以下改进:改进了电路效率(总体成本较低),降低了开关损耗,无需热散逸即可简单并联器件,散热器要求更小,低反向恢复电流,低器件电容以及低反向泄漏电流。 用户可选择 600 V、650 V、1200 V 和 1700 V 产品,电流额定值范围为 3 A 至 60 A, 封装样式为 TO-220、DPak、D2Pak 和 TO- 247。 所有这些产品均符合 RoHS 规范。

    SIC Schottky Diodes
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