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    扩展温度系列中压 MOSFET

    扩展温度系列中压 MOSFET

    ON Semiconductor 全新系列中压 MOSFET (Extended Temperature Family of Mid-voltage MOSFETs)提供了高达 175°C Tj 的扩展温度、宽电压范围以及最佳的 RDS(ON),为您的设计带来了更大的灵活性和更高的可靠性

    发布时间:2018-06-14

    ON Semiconductor 的 N 沟道 MOSFET 采用 ON Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺制造,并经过专门定制,以便在保持出色开关性能的同时最大限度地减小导通电阻。 这种先进的 PowerTrench®工艺还在精选零件上采用了屏蔽栅技术。

    扩展温度系列中压 MOSFET特性

    • 扩展 TJ 额定值达 175°C

    • 实现超低 RDS(ON) 的高性能技术

    • 先进的封装和硅组合,具有低 RDS(ON)

    • MSL1 坚固型封装设计

    • 100% 通过 UIL 测试

    • 端子无铅且符合 RoHS 规范

    • 当符合 IPC9592 时提供了 25°C 的 Tj 工作温度增加,在允许的 MOSFET 功率耗散下实现了高至 85% 的改进

    • 增强了 MTBF

    扩展温度系列中压 MOSFET应用

    1. 桥拓扑结构

    2. 工业高环境温度和恶劣环境应用的理想选择

    3. 同步整流器

    4. DC-DC 转换

    5. 初级侧 DC-DC MOSFET

    6. 次级侧同步整流器

    7. 负载开关

    8. OringFET/负载开关

    9. 初级侧 MOSFET

    10. 电机控制开关

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    应用案例

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      目前,微型和组串式光储系统的轻松安装,以及对可再生能源基础设施建设投资的增加,助力了全球光储系统市场的大幅增长。安森美 (onsemi)携手伍尔特电子(Würth Elektronik) ,为太阳能源的转变带来高效、可靠和安全的全新解决方案,共同确保客户在从家用到工业应用的任何功率等级的产品市场开发中均获得最佳性能。

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      M31的ONFI5.1 I/O IP在数据传输速度上的效能尤为突出,藉由台积电5奈米制程技术,该IP成功达到了3600MT/s的传输速率,已达ONFI5.1规范的峰值性能。此高效能传输速率不仅能大幅提升数据访问速度,对于大数据处理和密集运算环境中的系统效能更有显著贡献。

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      ​ 最近来了很多新朋友,也经常被问:可以多讲些云平台的操作吗? 当然可以!文末留言你想要了解的云平台,优先安排~ 接下来,本文将以Air780E+LuatOS作为示例,教你使用合宙IoT_CLOUD连接中移OneNET物联网云平台。 一、 IoT_CLOUD简 1.1 IoT_CLOUD特色简介 IoT_CLOUD——是合宙专门为了合并IoT平台而制作的通用库, 意在使用统一且极简的代码接入各个云平台,轻松实现云功能。 用户无需为那么多云平台的接入而头疼,只需要极简的通用API即可轻松上云!并且因为

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