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SuperFlash® 存储器件
Microchip 推出 SST26WF080B/080BA/016B，扩充了其串行四通道 I/O™ SuperFlash® 存储器件系列（SuperFlash® Memory Devices）
发布时间：2018-06-14
Microchip 的 SST26WF080B/080BA/016B 串行四通道 I/O (SQI) 闪存器件采用 4 位多路复用式 I/O 串行接口提升性能，同时又保持了标准串行闪存器件的紧凑外形。 SST26WF080B/080BA/016B 还支持全指令集兼容传统串行外设接口 (SPI) 协议。 SST26WF080B/080BA/016B 工作频率可达 104 MHz，无需在 SRAM 上进行代码映射即可实现最小的延迟芯片内执行 (XIP) 功能。 SST26WF080B/080BA/016B 使用 1.65 V 至 1.95 V 的单一电源进行写操作（编程或擦除），大大降低了功耗。
该存储器件的低功率消耗使之非常适合移动手持设备、蓝牙®、GPS、摄像头模块、转台、助听器和任何电池供电型设备。 依托 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash®技术实现更多优势，从而大大提高了性能和可靠性。
SST26WF016B 默认在上电时 WP# 和 HOLD 引脚是启用的，而 SIO3 和 SIO4 引脚则是禁用的，以实现无寄存器配置的 SPI 协议操作。
SuperFlash® 存储器件特性
串行接口架构：半字节宽多路复用 I/O，具有类似 SPI 的串行命令结构
模式 0 和模式 3
x1/x2/x4 串行外设接口 (SPI) 协议 - 猝发模式
连续线性猝发，8/16/32/64 字节线性猝发，采用环绕式
页编程：在 x1 和 x4 模式下每页 256 字节
灵活地擦除能力：均匀 4 KB 扇区、四个 8 KB 顶部和底部参数叠加块、一个 32 KB 的顶部和底部叠加块、 均匀 64 KB 贴面块
软件写保护：单个块锁定：64 KB 块、两个 32 KB 块和 8 个 8 KB 参数块
低功耗：有源读取电流：15 mA（104 MHz 时典型值），待机电流：10 µA（典型值）
SFDP（串行闪存可发现参数）
采用的封装：8 触头 WSON (6 mm x 5 mm)、8 引脚 SOIC (150 mil)、8 触头 USON (2 mm x 3 mm) SST26WF080B/080BA、8 焊球 XFBGA (Z 级)
所有器件都均符合 RoHS 规范
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SST26WF016B-104I/SN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | 在线订购 | |
 | | SST26WF016B-104I/MF | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WDFN | 在线订购 | |
| | SST26WF016BA-104I/SN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | 在线订购 | |
| | SST26WF016BA-104I/MF | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WDFN | 在线订购 | |
 | | SST26WF016B-104I/CS | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8CSP | 在线订购 |
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