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采用现有封装的高功率双向可控硅
NXP Semiconductors 的平面钝化高换向能力三象限双向可控硅(High Power Triacs in Existing Packages)
发布时间：2018-06-14
NXP Semiconductors 的平面钝化高换向能力三象限双向可控硅采用 TO220/IITO220/SOT186A 封装，专用于可能出现动态 dV/dt 和高 dI/dt 的电路。 “T”系列器件能在最高额定结温 (Tj (max)= 150 ° C) 时，在没有吸收器辅助的情况下实现全 RMS 电流换向。 该系列适合在需要高工作结温性能的应用中使用。
采用现有封装的高功率双向可控硅特性
采用 3Q 技术，提升了抗噪能力
高换向能力，具有最强抗误触发能力
能够很好地抵御 dV/dt 引起的故障导通
高工作结温能力
高电压耐受能力
最不灵敏的栅极，具有最强的抗噪性能
钝化平面，提升了电压稳定性和可靠性
仅在三个象限中触发
采用现有封装的高功率双向可控硅应用
易受高温影响的应用
加热控制
高功率电机控制
高功率开关操作
应用案例
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蓝牙LE Audio解决方案 随着Bluetooth 5.3 LE Audio蓝牙低功耗音频标准的发布，你是否感觉到新一波的音频技术创新应用浪潮已经到来？ 恩智浦最近推出了 NXH3675 ，完全符合最新的Bluetooth 5.3 LE Audio标准，提供了一个高集成度、高质量的音频流解决方案。其支持LC3+编解码器，能够实现约20毫秒的延迟、最高96KHz的采样率和24位的分辨率，以及多个同时音频流与数据通道同步传输等功能，让更多的创新音频应用成为可能！ 围绕NXH3675，恩智浦的设计生态也日趋完善，
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资讯行易道联手恩智浦实现4D成像雷达分辨率、目标检测等关键指标突破性提升2023-02-16
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