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XLamp® MHD-G 和 MHD-E LED 阵列
Cree 推出其 LED 阵列（XLamp® MHD-G and MHD-E LED Arrays），以实现最低系统成本
发布时间：2018-06-14
来自 Cree 的 XLamp MHD-G 和 MHD-E LED 是一类高功率 LED 阵列。相比中等功率 (MP) LED，该产品为实现低成本系统提供了一种更好的方法。 采用 Cree 的高可靠性陶瓷封装技术制造，XLamp MHD-G 和 MHD-E 的工作温度高于 MP LED，但又不会缩短额定使用寿命，从而在散热器体积和成本降方面均降低了 60%，令人印象深刻。 在 LED 用量仅是 MP LED 的很少一部分的情况下却实现了相同的性能，XLamp MHD-G 和 MHD-E LED 经过优化，可以简化定向和半定向应用的 LED 设计。
XLamp® MHD-G 和 MHD-E LED 阵列特性
可灵活地选择 18 V 或 36 V
最大驱动电流：1000 mA (18 V)、500 mA (36 V)
视角：115°
可选择 70‑CRI、80‑CRI 或 90‑CRI
在 ≤30°C/85% 相对湿度条件下车间寿命无限
可回流焊接 - 符合 JEDEC J-STD-020C
热电分离
获得 UL® 认证的元件 (E349212)
XLamp MHD-E 的特性
可灵活地选择 9 V、18 V 或 36 V
最大驱动电流：1400 mA (9 V)、700 mA (18 V)、350 mA (36 V)
视角：115°
可选择 70‑CRI、80‑CRI 或 90‑CRI
在 ≤30°C/85% 相对湿度条件下车间寿命无限
可回流焊接 - 符合 JEDEC J-STD-020C
热电分离
获得 UL® 认证的元件 (E349212)
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | MHDEWT-0000-000N0HG227G | 发光二极管/LED-光电器件 | LEDXLAMPWARMWHITE2700K2SMD | ￥17.15534 | 在线订购 |
| | MHDEWT-0000-000C0BH440E | 发光二极管/LED-光电器件 | LEDXLAMP4000KWHITE9/18VSMD | ￥20.35528 | 在线订购 |
| | MHDEWT-0000-000N0HG450E | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP COOL WHITE 5000K 2SMD | 在线订购 | |
| | MHDEWT-0000-000N0HG240G | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP NEUTRAL WHT 4000K 2SMD | ￥23.52211 | 在线订购 |
| | MHDEWT-0000-000N0HG230G | 发光二极管/LED-光电器件 | LED Lighting Xlamp® MHD-E White, Warm 3000K 3-Step MacAdam Ellipse 36V 200mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | MHDGWT-0000-000N0HK427G | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP WARM WHITE 2700K 2SMD | ￥27.73946 | 在线订购 |
| | MHDGWT-0000-000N0HM227G | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP 2700K WHITE 36V SMD | ￥31.28851 | 在线订购 |
| | MHDGWT-0000-000N0HM450E | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP COOL WHITE 5000K 2SMD | 在线订购 | |
| | MHDGWT-0000-000N0HM230G | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP WARM WHITE 3000K 2SMD | ￥30.89962 | 在线订购 |
| | MHDGWT-0000-000N0BM240E | 发光二极管/LED-光电器件 | LEDXLAMP4000KWHITE36VSMD | 在线订购 |
应用案例
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车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，本文针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC（替代科锐C4D30120D），该二极管
资讯CREE(科锐)公司的历史和产品变迁2023-07-10
说到GaN(氮化镓)产品，不得不说到一家美国公司:CREE科锐，可以说，讲GaN材料应用到极致，并产生商业价值最大化，全球没有第二家公司超越。 经常听到一些芯片行业朋友说到CREE公司和Wolfspeed公司，有点混淆。 CREE公司于1987年成立于美国北卡罗莱纳，1989年以LED灯珠商用化迅速抢占全球市场，由于当时的市场主要还是白炽灯的时代，而LED灯珠以超高的能效比，全球市场需求迅速爆发，仅4年时间即实现美国NASDAQ上市。 由于LED灯珠的制造工艺，涉及到SiC材料
资讯国芯思辰｜基本半导体低开关损耗碳化硅肖特基二极管B1D02065E(替代C3D02065E)助力LED电源效率的提升2022-08-26
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资讯CGHV14250 L波段放大器CREE2023-04-24
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资讯CGHV60170D L波段放大器CREE2023-04-11
Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较，CGHV60170D具备更优越的使用性能；包含更高击穿场强；更高饱和电子偏移速率；和更高传热性。与Si和GaAs晶体管相比较，CGHV60170D具有更强的功率密度和更宽的带宽。 特征 65%的常见功率附带高效率 170W经典PSAT 50伏操控 高击穿场强 高至6GHz的操作频率 应用 宽带放大器 战略通讯设备 卫星通讯 工业化，科学和医疗放大器电路 ClassA;AB；主要用于OFDM的线型放大器电路；无线频分多
资讯L波段放大器CGH40120介绍2023-04-04
Wolfspeed的CGH40120是前所未有的；氮化镓(GaN)；高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40120选用28伏电源供应；具备通用型；各种射频和微波应用宽带宽解决方案。GaNHEMT具备高效化；高增益和宽带宽宽性能；使CGH40120成为了线型和压缩功率放大电路的最佳选择。CGH40120选用金属陶瓷丸和法兰盘封装。 特征 高至2.5GHz的操作 1.0GHz时的20dB小信号增益值 2.0GHz时的15dB小信号增益值 120W典型PSAT PSAT效率为70% 28伏操控 应用 2路专用型无线通信 宽带放大器 蜂窝基础设施建设 测试设
资讯C波段功率放大器CMPA5259025介绍2022-09-22
Wolfspeed的CMPA5259025F专门为实现高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益;和宽带宽性能；从而使得CMPA5259025F特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259025F选用陶瓷/金属法兰封装。 特征 30dB小信号增益值 PSAT的效率为50% 电压高达28V 高击穿电压 应用 雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的
资讯C波段功率放大器CMPA601C025简介2022-09-19
Wolfspeed的CMPA601C025以氮化镓为载体(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT)单片微波集成电路(MMIC)，处于碳化硅衬底上；采用0.25-μm栅极长度的技术工艺。与硅相比较，SiC上的GaN性能更强；GaAs或GaNonSi；包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si相比较，GaNHEMT还提供了更高的功率密度和更宽的频带宽度；GaAs；和GaNonSi晶体管。CMPA601C025无功功率配对放大器的设计思路能够实现非常宽的频带宽度。 特征 34dB小信号增益值 40W典型PSAT 电压
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