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BLF2425M 功率 LDMOS 晶体管
NXP Semiconductors 推出针对 ISM 应用的 LDMOS 功率晶体管（BLF2425M Power LDMOS Transistors）
发布时间：2018-06-14
NXP Semiconductors 针对工业、科研和医疗 (ISM) 应用推出频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的 LDMOS 功率晶体管。BLF2425M7L250P、BLF2425M7LS250P、BLF2425M8L140 和 BLF2425M8LS140 专用于高功率 CW 应用。这些器件采用高性能陶瓷封装，并带有耳片和无耳片版本。观看视频射频能源革命：干净、高效、可控制功率。
BLF2425M 功率 LDMOS 晶体管特性
高能效
高功率增益
出色的坚固性
出色的热稳定性
集成 ESD 保护
设计用于宽带操作（2400 至 2500 MHz）
内部匹配
符合有关危险物质限制 (RoHS) 的 2002/95/EC 指令
最高的功率水平和效率
最佳的坚固性
最佳的宽频性能
业内一流的设计提供从想法到实现与生产的全方位支持
较低热阻设计实现了无与伦比的可靠性和性能
BLF2425M 功率 LDMOS 晶体管应用
射频能量应用如：
加热和干燥
照明
烹饪
汽车点火
工业处理
医疗
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BLF2425M7LS250P,11 | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B | 在线订购 | |
 | | BLF2425M8LS140J | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | 在线订购 |
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