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    BLF647P 宽带功率 LDMOS 晶体管

    BLF647P 宽带功率 LDMOS 晶体管

    来自 NXP Semiconductors 的 200 W LDMOS 射频功率晶体管(BLF647P Broadband Power LDMOS Transistor)

    发布时间:2018-06-14

    NXP Semiconductors 针对广播发射机和工业应用推出一款 200 W LDMOS 射频功率晶体管。 该晶体管可适用于 HF 至 1500 MHz 频率范围。 出色的坚固性和宽带性能使该器件成为数字应用的理想之选。

    BLF647P 宽带功率 LDMOS 晶体管特性

    • 集成 ESD 保护

    • 出色的坚固性

    • 高功率增益

    • 高能效

    • 出色的可靠性

    • 简单的电源控制

    • 符合关于危险物质限制的 2002/95/EC 指令

    BLF647P Broadband Power LDMOS Transistor
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    BLF647P,112时钟/计时 - IC 电池RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A在线订购
    BLF647PS,112时钟/计时 - IC 电池RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B在线订购

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