来自 STMicroelectronics 的 M 系列 1200 V IGBT 采用了先进的沟槽式栅极场截止技术，在如太阳能逆变器、焊接设备、不间断电源和工业电机驱动器等应用中更节能、更可靠。
凭借高度优化的导电和关断特性以及低导通损耗，这些全新和改进型的 IGBT 非常适合在工作高达 20 kHz 的硬开关电路中使用。 175°C 的最大工作温度、无闩锁效应运行的宽安全工作区 (SOA) 以及 150°C 时 10 µs 的短路耐受时间，确保在恶劣气候和电气环境中具有坚固的性能。
这些全新器件核心采用第三代技术，包括全新的针对沟槽式栅极结构的先进设计和优化的高电压 IGBT 架构。 这样就最大限度地减小了电压过冲，并消除了关断时的振荡，从而降低了能耗并简化了电路设计。 同时，低饱和电压 (VCE (sat)) 可确保高的导通能效。 正温度系数和 VCE (sat) 的紧参数分布简化了器件并联，增加了功率处理能力。
这些全新器件也能受益于在启动时增强的能效。 此外，采用与 IGBT 反并行方式共同封装的最新一代二极管技术实现了快速恢复时间并增强了柔性，且不会大幅增加导通损耗，从而实现出色的 EMI 性能。