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XLamp XHP50 和 XHP70 LEDs
XLamp® XHP50 和 XHP70 系列（XLamp® XHP50 & XHP70 LEDs）是 Cree 极高功率 (XHP) 级 LED 的成员，这些产品重新定义了流明密度和可靠性
发布时间：2018-06-14
由 Cree 的突破性 SC5 Technology™ 平台提供电源，XLamp XHP50 和 XHP70 LED 是 Cree 极高功率 (XHP) 级 LED 产品的成员，这些产品重新定义了流明密度和可靠性，从根本上将系统成本降低达 40%。
在最大电流、每瓦流明相近以及不增大封装基底面的情况下，XHP50 LED 的光输出是业内最亮单芯片 LED——Lamp XM-l2 LED 的两倍。 此外，XHP50 LED 还在更高工作温度下实现了更长的使用寿命。 总体来讲，这类产品拥有更低的系统级发热、机械和光学成本。
在最大电流、每瓦流明相近以及不增大封装基底面的情况下，XHP70 LED 的光输出是 XLamp MK-R LED 的两倍。 此外，XHP70 LED 还在更高工作温度下实现了更长的使用寿命。 总体来讲，这类产品拥有更低的系统级发热、机械和光学成本。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | XHP70A-01-0000-0D0BN20E1 | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP COOL WHITE 6500K 2SMD | 在线订购 | |
 | | XHP50A-01-0000-0D0HG430G | 发光二极管/LED-光电器件 | LED Lighting Xlamp® XHP50 White, Warm 3000K 3-Step MacAdam Ellipse 12V 700mA 120° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | 在线订购 |
应用案例
资讯国芯思辰｜基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流2022-07-20
车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，本文针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC（替代科锐C4D30120D），该二极管
资讯CREE(科锐)公司的历史和产品变迁2023-07-10
说到GaN(氮化镓)产品，不得不说到一家美国公司:CREE科锐，可以说，讲GaN材料应用到极致，并产生商业价值最大化，全球没有第二家公司超越。 经常听到一些芯片行业朋友说到CREE公司和Wolfspeed公司，有点混淆。 CREE公司于1987年成立于美国北卡罗莱纳，1989年以LED灯珠商用化迅速抢占全球市场，由于当时的市场主要还是白炽灯的时代，而LED灯珠以超高的能效比，全球市场需求迅速爆发，仅4年时间即实现美国NASDAQ上市。 由于LED灯珠的制造工艺，涉及到SiC材料
资讯国芯思辰｜基本半导体低开关损耗碳化硅肖特基二极管B1D02065E(替代C3D02065E)助力LED电源效率的提升2022-08-26
显示屏电源是LED显示屏的重要组成部分，主要用来给显示屏发光二极管提供必要的工作电流，保证屏体正常显示。LED电源框图如图所示。LED电源框图整流器是LED电源转换模块的核心元器件。为了更好地将交流电转换为直流电，设计师更倾向于碳化硅肖特基二极管整流器，因其具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力。基本半导体碳化硅肖特基二
资讯CGHV14250 L波段放大器CREE2023-04-24
Wolfspeed的CGHV14250是种致力于高效化设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带宽性能；从而使CGHV14250成为1.2–1.4GHzL波段雷达放大器应用领域的最佳选择。CGHV14250晶体管适合于从UHF到1600MHz的特殊频率段技术应用。封装的选项有陶瓷/金属法兰和药丸式封装。 特征 FET调谐范围UHF至1800MHz 330W常见额定功率 18dB功率增益值 77%常见栅极高效率 内部预适配输入；前所未有的输入输出 技术应用 L波段雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多
资讯CGHV60170D L波段放大器CREE2023-04-11
Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较，CGHV60170D具备更优越的使用性能；包含更高击穿场强；更高饱和电子偏移速率；和更高传热性。与Si和GaAs晶体管相比较，CGHV60170D具有更强的功率密度和更宽的带宽。 特征 65%的常见功率附带高效率 170W经典PSAT 50伏操控 高击穿场强 高至6GHz的操作频率 应用 宽带放大器 战略通讯设备 卫星通讯 工业化，科学和医疗放大器电路 ClassA;AB；主要用于OFDM的线型放大器电路；无线频分多
资讯L波段放大器CGH40120介绍2023-04-04
Wolfspeed的CGH40120是前所未有的；氮化镓(GaN)；高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40120选用28伏电源供应；具备通用型；各种射频和微波应用宽带宽解决方案。GaNHEMT具备高效化；高增益和宽带宽宽性能；使CGH40120成为了线型和压缩功率放大电路的最佳选择。CGH40120选用金属陶瓷丸和法兰盘封装。 特征 高至2.5GHz的操作 1.0GHz时的20dB小信号增益值 2.0GHz时的15dB小信号增益值 120W典型PSAT PSAT效率为70% 28伏操控 应用 2路专用型无线通信 宽带放大器 蜂窝基础设施建设 测试设
资讯C波段功率放大器CMPA5259025介绍2022-09-22
Wolfspeed的CMPA5259025F专门为实现高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益;和宽带宽性能；从而使得CMPA5259025F特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259025F选用陶瓷/金属法兰封装。 特征 30dB小信号增益值 PSAT的效率为50% 电压高达28V 高击穿电压 应用 雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的
资讯C波段功率放大器CMPA601C025简介2022-09-19
Wolfspeed的CMPA601C025以氮化镓为载体(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT)单片微波集成电路(MMIC)，处于碳化硅衬底上；采用0.25-μm栅极长度的技术工艺。与硅相比较，SiC上的GaN性能更强；GaAs或GaNonSi；包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si相比较，GaNHEMT还提供了更高的功率密度和更宽的频带宽度；GaAs；和GaNonSi晶体管。CMPA601C025无功功率配对放大器的设计思路能够实现非常宽的频带宽度。 特征 34dB小信号增益值 40W典型PSAT 电压
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