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FMCA 系列 SiC 肖特基势垒二极管
Sanken 推出能在高温下实现低泄漏电流和高速开关性能的碳化硅肖特基势垒二极管（FMCA Series SiC Schottky Barrier Diodes）
发布时间：2018-06-14
利用 Sanken 的下一代功率半导体 SiC（碳化硅）能实现采用肖特基势垒配置并具有 650 V 击穿电压的产品。
FMCA 系列二极管适用于连续电流模式 PFC 电路。 当用击穿电压为 600 V 的快速恢复整流器二极管替换时，该器件能降低恢复电流造成的功率损耗。 因此，该器件的节能效果巨大。 此外，通过其快速切换能力还可实现设备小型化。
SiC 肖特基势垒二极管有助于将电源损耗降至最低，如服务器的电源损耗，它会随着大数据处理任务的增加而增大。 该器件还有助于减小电气设备体积。
FMCA 系列 SiC 肖特基势垒二极管特性
利用 SiC-SBD 的低恢复损耗特性提高电源能效
低电阻、高速开关式 SiC MOSFET 实现了一种紧凑的高能效电源
由于提升了高温期间的电流，所以不会出现热失控，进而能保持开关性能稳定
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FMCA-22065 | 整流二极管-二极管 | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 20A Through Hole TO-220F | ￥76.06899 | 在线订购 |
 | | FMCA-11065 | 整流二极管-二极管 | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Through Hole TO-220F | 在线订购 |
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