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DMN2023UCB4 和 DMP2100UCB9 MOSFET
Diodes Incorporated 的 DMN2023UCB4 和 DMP2100UCB9 芯片级双向 MOSFET 节省了空间（DMN2023UCB4 and DMP2100UCB9 MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Diodes Incorporated 的 DMN2023UCB4 和 DMP2100UCB9 是双向 MOSFET，性能优异，可用作单芯和双芯锂电池充电的保护开关。 低导通状态电阻使其降低了功率损耗，而薄膜式芯片级封装又为设计人员节省了空间，从而提高了电池容量。 这些 20 V 双通道 MOSFET 设计用于最大限度降低传导损耗并阻止电流双向流动，可用作低压侧或高压侧操作的电池开关。
DMN2023UCB4 和 DMP2100UCB9 MOSFET特性
双向 MOSFET – 结合背对背的双功率 MOSFET，关断时可阻断双向电流，打开时具有低导通损耗
小型基底面 – 1.8 mm x 1.8 mm 的基底面和 < 0.4 mm 的厚度能够让电池组空出更多空间，用于增加电池的 mAh 容量
低导通电阻 – Rss(on) < 26mΩ 最大限度地减少了导通损耗，增加了电池寿命
低阈值电压 – VGS(th) < 1 V 可确保 FET 在低工作电压下完全增强
DMN2023UCB4 和 DMP2100UCB9 MOSFET应用
智能手机
平板电脑
相机
便携式媒体播放器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | DMN2023UCB4-7 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4 | ￥2.05350 | 在线订购 |
 | | DMP2100UCB9-7 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB | 在线订购 |
应用案例
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