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M 系列 650 V IGBT
来自 STMicroelectronics 的 650 V IGBT （M Series 650 V IGBTs）提升了 20 kHz 功率开关应用的能效
发布时间：2018-06-14
STMicroelectronics 全新的 M 系列 650 V IGBT 为设计人员提供了一种快速、经济的方式，来提高 HVAC 电机驱动器、不间断电源、太阳能电源转换器和所有功率转换应用的效率，工作频率高达 20 kHz，采用硬开关电路拓扑结构。
M 系列 IGBT 使用 ST 的第三代沟槽式栅极场截止低损耗技术构建，采用全新的沟槽式栅极和经过特殊设计的 N-P-P 垂直结构，这些因素加在一起在导通和关断损耗之间实现理想的平衡，并显著提升了这些器件的总体性能。 具有最短 6 µs 的短路耐受时间（150°C 启动结温时）、175°C 的扩展最大工作结温以及宽安全工作区域 (SOA) 延长服务寿命，并提升了在需要高功率耗散应用中的可靠性。
而且，这些器件采用的封装中包括了针对快速恢复能力优化的新一代续流二极管，同时保持低正向压降和高柔性水平。 这提供了出色的 EMI 防护，同时降低了导通损耗。 正 VCE(sat) 温度系数加上紧参数分布，使得器件能够安全地并联，从而获得更高的功率要求。
M 系列 650 V IGBT特性
相比 600 V，650 V 的工作电压能够实现最具竞争力的设备
低 VCE(sat)（在 25°C 时为 1.55 V），最大限度发减少了传导损耗
出色的鲁棒性，具有大的 SOA 和无锁存工作电压
业内最佳 Etot 对 VCE(sat) 平衡
175°C 最高工作结温
最小 6 µs 的高温度短路承受能力
较有限的电压过冲和无关断振荡
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STGP30M65DF2 | MOSFETs-晶体管 | IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-220 | 在线订购 | |
 | | STGB30M65DF2 | MOSFETs-晶体管 | IGBT650V30AD2PAK | ￥10.44360 | 在线订购 |
 | | STGP10M65DF2 | MOSFETs-晶体管 | IGBT 650V 10A TO-220AB | ￥10.12141 | 在线订购 |
 | | STGB10M65DF2 | MOSFETs-晶体管 | IGBT 650V 10A D2PAK | ￥7.87602 | 在线订购 |
 | | STGWA30M65DF2 | IGBT-晶体管 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 258 W 通孔 TO-247 长引线 | ￥14.34670 | 在线订购 |
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