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    1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管、MOSFET 和模块

    1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管、MOSFET 和模块

    ROHM 为了在许多应用中实现更高节能效果推出其下一代 SiC 功率器件和模块(1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes, MOSFETs, and Modules)

    发布时间:2018-06-14

    SiC 正成为下一代、低损耗元件的最可行候选材料,因为它在高温度条件下具有较低的导通电阻和优异的特性。ROHM 正在开发 SiC 功率器件和模块,能够在大量应用领域实现功耗节约,包括用于太阳能/风能电源与电动/混合动力车辆 DC/AC 转换器的高能效逆变器,到用于工业设备和空调的电源逆变器。

    1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管、MOSFET 和模块特性

    • 低导通电阻

    • 快速开关速度

    • 快速反向恢复

    • 易于并联

    • 简单驱动

    • 无铅引线电镀

    • 符合 RoHS 规范

    1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管、MOSFET 和模块应用

    1. 太阳能逆变器

    2. DC/DC 转换器

    3. 开关模式电源

    4. 感应加热

    5. 电机驱动器

    1200 V Silicon Carbide SiC Diodes
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    应用案例

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      全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款属于适合播放高分辨率音源*1的MUS-IC系列旗舰机型32位D/A转换器IC(以下简称“DAC芯片”※)“BD34302EKV”,并推出其评估板“BD34302EKV-EVK-001”,现均已开始销售。

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      全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器(OBC)等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。

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