![](http://file.elecfans.com/web1/M00/88/50/pIYBAFyHXWyATDCEAAAjExFme3U416.png)
SIP32101DB 双向电池开关
![SIP32101DB 双向电池开关](http://file1.elecfans.com/web2/M00/91/1B/wKgaomTeaqaABUrbAADEfPhCkLk36.jpeg)
Vishay Siliconix 的 WCSP 封装比分立式 MOSSFET (SIP32101DB Bi-Directional Battery Switch)节省 91% PCB 空间
发布时间:2018-06-14
Vishay Siliconix 的 SiP32101 在紧凑的 12 焊球 WCSP 封装中的实现了业内低导通电阻和超低静态电流。 在智能手机、平板电脑、数码相机、便携式保健仪、数据存储系统以及其它许多设备中,极其宝贵的是 PCB 空间。 这些产品中,用于电池隔离的分立式 MOSFET 解决方案采用三个元件,通常需要 26mm2 板面积。 SiP32101 的基底面仅为 2.3 mm2,可以节省宝贵的板空间并减少元件总数,进而简化设计。 此外,该器件具有一个低电平有效使能引脚,可以直接与低压 GPIO 连接,因此无需增加电平转换电路或更高电压的栅极驱动器。 EN 引脚上的集成下拉电阻器在低功耗状态下防止杂散导通,此时 GPIO 可处于浮动状态。
SiP32101 在 3.3 V 时的 6.5 mΩ 低导通电阻能够减少功耗,提升能效。 该器件采用 2.3 V 至 5.5 V 宽输入范围并具有 2 ms 软导通时间,以最大限度减少浪涌电流,因此非常适合大容量电池应用和大电流负载的开关操作。 电流消耗在导通和断开状态下均很低。 该器件仅需要 0.015 nA 静态电流和 0.01 nA 关断电流,能在器件长期处于空载时确保电池不会很快耗尽。
这款今天发布的电池负载开关在 -40°C 至 +85°C 范围内工作,符合 RoHS 规范且无卤素,采用 1.3 mm × 1.7 mm × 0.55 mm WCSP 封装。
SIP32101DB 双向电池开关特性
双向导通和断开
7 A 连续输出电流
3.3 V 时拥有 6.5 mΩ 超低 RDS(ON)
宽输入电压范围:2.3 V 至 5.5 V
压摆率受控式导通
超低静态电流:15 pA(SiP32101、SiP32102)
集成了上拉或下拉电阻器的 EN 引脚
提供逻辑高和逻辑低使能选项
外形紧凑,12 焊球,1.3 mm x 1.7 mm x 0.55 mm
WCSP 封装
SIP32101DB 双向电池开关应用
智能手机和平板电脑
数码相机
数码摄像机
便携表计和测试仪器
带嵌入式电池的通信设备
便携式医疗和保健系统
数据存储
电池组
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | SIP32101DB-T1-GE1 | 电源开关/负载开关-电源管理 | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP | 在线订购 |
应用案例
资讯Vishay推出四款新系列200 V FRED Pt超快恢复整流器2023-06-21
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢复整流器,这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A封装。1 A VS-1EAH02xM3、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3 和 5 A VS-5EAH02xM3 为商业、工业和车载应用提供节省空间的高效解决方案,每种产品都有 Vishay 汽车级 AEC-Q101 认证版本。
资讯拥抱 融合 共发展—Vishay与力源信息销售峰会圆满落幕2023-06-21
2023年6月16日,Vishay与力源信息销售峰会在成都棕榈泉费尔蒙酒店圆满落幕。VishaySalesVP卢志强先生、VishayMDVP潘文生先生及销售总监林清海先生、力源信息董事长兼总经理赵马克先生和力源信息副总经理兼销售及市场总监陈福鸿先生参加了此次会议。两家公司的中高层营销管理人员进行了深入的产品信息分享和未来发展预期。Vishay销售总监林清海
资讯国产替代威世(VISHAY)3KASMC系列TVS瞬变抑制二极管2022-04-06
可见,3KASMCJ30A是一颗车规级TVS瞬态抑制二极管,根据参数详情匹配,可知,国产TVS管品牌东沃(DOWO)生产的TPSMDJ30A可替代3KASMCJ30A,封装形式、功率、电流、电压等参数完全一致,可实现pin to pin替代。有关TPSMDJ30A车规级TVS二极管参数详情,东沃电子免费提供产品手册。同时,东沃电子还免费提供样品、EMC测试、
资讯Vishay VOMDA1271汽车级光电压输出光耦,用于MOSFET开关,集成关断电路,提升应用性能2023-06-09
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压(8.5V)达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光电压输出光耦,用于 MOSFET 开关 ,该驱动器采用节省空间的 SOP-4 封装,集成关断电路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271 专门用来提高汽车应用性能,同时提高设计灵活性并降低成本,开关速度和开路输出电压均达到业内先进水平。 日前发布的光耦集成关断电路,典型关断时间为 0.7ms,在 SOP-4 小型封装 MOSFET 驱动器中达到先进水平。此
资讯Vishay VOMDA1271汽车级光伏MOSFET集成关断电路2023-06-08
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压(8.5V)达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器,该驱动器采用节省空间的 SOP-4 封装,集成关断电路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271 专门用来提高汽车应用性能,同时提高设计灵活性并降低成本,开关速度和开路输出电压均达到业内先进水平。 日前发布的光耦集成关断电路,典型关断时间为 0.7ms,在 SOP-4 小型封装 MOSFET 驱动器中达到先进水平。此外,VOMDA127 的导
资讯Vishay推出厚膜功率电阻器,可选配NTC热敏电阻和PC-TIM简化设计,节省电路板空间并降低成本2023-06-06
器件通过 AEC-Q200 认证,采用 SOT-227 小型封装,可直接安装在散热器上,具有高脉冲处理能力,功率耗散达 120 W 美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2023 年 5 月 31 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出一款通过AEC-Q200认证,采用SOT-227小型封装,可直接安装在散热器上的全新厚膜功率电阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脉冲处理能力,在85 °C底壳温度下,功率耗散达120 W,可选配NTC热敏电阻用于内部温度监控,预涂相变热界面材
资讯Vishay全新厚膜功率电阻通过AEC-Q200认证 设计更简化2023-06-03
Vishay MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay 推出一款通过 AEC-Q200 认证,采用 SOT-227 小型封装,可直接安装在散热器上的全新厚膜功率电阻。 Vishay MCB ISOA 具有高脉冲处理能力,在 85˚C底壳温度下,功率耗散达 120 W,可选配 NTC 热敏电阻用于内部温度监控,预涂相变热界面材料(PC-TIM)提高贴装效率。 日前发布的器件采用铝衬底取代金属片,可用作预充电、放电、主动放
资讯开关电源设计优质选择 Vishay威世科技第三代650V SiC二极管2023-05-25
Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅 (SiC)肖特基二极管 。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN Schottky(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,正向压降、电容电荷和反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代 SiC 二极管包括 4A 至 40A 器件,采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封装和 D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封