USB Type-C™ 产品组合
ON Semiconductor 推出最小、最低功耗 USB Type-C 解决方案的广泛组合(USB Type-C™ Portfolio)
发布时间:2018-06-14
这一全新 USB Type-C 标准能够给用户带来更高的性能和承诺的便利性,同时为设计人员和制造商来带导入的简易性。 ON Semiconductor 提供的是从控制器到电源开关和超高速开关的分立式、灵活型 USB Type-C 解决方案的全组合。 该产品组合旨在实现成本、基底面和功耗削减,功耗仅为最近的竞争解决方案的 1/10,同时封装小了 43%。 解决方案覆盖双角色端口 (DRP)、面向下游的端口 (DFP) 和面向上游的端口 (UFP) 的实现和配件检测,为多平台支持提供了软件灵活性。 I²C 接口还具有简单更新功能,以支持未来标准的变化。
USB Type-C™ 产品组合特性
待机模式时超低功耗
具有适应标准变化的灵活性
DFP、UFP、DRP 角色支持
主动电缆检测和电源支持
采用 WLCSP 和 MLP 封装的小型解决方案,尺寸小至 1.2 x 1.2 x 0.4 mm
用于自适应充电和供应商定义消息的薄片式 USB 供电 (PD) 接口。
音频和调试配件检测
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| FUSB302UCX | USB芯片-接口及驱动芯片 | USB Controller USB 3.1 USB Interface 9-WLCSP (1.21x1.26) | ¥15.15967 | 在线订购 | |
| FUSB301TMX | USB芯片-接口及驱动芯片 | IC CONTROLLER USB 10TMLP | ¥3.63376 | 在线订购 | |
| FUSB3301MPX | USB芯片-接口及驱动芯片 | IC USB TYPE C CTLR PROGR 10MLP | 在线订购 | ||
| FUSB302BMPX | USB芯片-接口及驱动芯片 | 带PD的可编程USB C型控制器 | ¥5.08280 | 在线订购 | |
| FUSB300CUCX | USB芯片-接口及驱动芯片 | IC USB TYPE C CTLR PROGR 9WLCSP | 在线订购 |
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| FUSB340TMX | USB芯片-接口及驱动芯片 | USB Switch USB 3.1 USB Interface 18-TMLP (2x2.8) | ¥3.55300 | 在线订购 |
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| FPF2495UCX | 电源开关/负载开关-电源管理 | IC PWR LOAD SWITCH 1:1 9WLCSP | ¥2.99780 | 在线订购 |
应用案例
资讯简要解析AMR电机控制方案2025-01-10
人工视觉、传感器与控制算法日益进步,机器人也正变得越来越智能,现在已经能够自主执行一些复杂的任务,例如移动、抓取和定位物体。自主移动机器人 (AMR) 具有多种优势,例如提高效率、降低人力成本和提升安全性,目前已在许多行业得到普遍应用,包括制造业、医疗保健、物流和仓储、农业、零售业和酒店业。本文为白皮书第一篇,将重点讲解电机控制方案。
资讯安森美碳化硅应用于栅极的5个步骤2025-01-09
在之前的两篇推文中粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战?5步法应对碳化硅特定挑战,mark~,我们介绍了宽禁带半导体基础知识、碳化硅制造挑战、碳化硅生态系统的不断演进、安森美(onsemi)在碳化硅半导体生产中的优势。本文为白皮书第三篇,将重点介绍应用于栅极的 5 个步骤。
资讯安森美成功收购纽约州德威特GaN晶圆制造厂,助力技术布局!2025-01-08
近日,全球领先的半导体解决方案供应商安森美(onsemi)宣布,以2000万美元的价格成功收购位于美国纽约州德威特的原NexGenPowerSystems氮化镓(GaN)晶圆制造厂。这项交易受到业界广泛关注,标志着安森美在功率半导体领域的进一步布局。该晶圆制造厂最初由纽约州政府斥资近1亿美元建造,旨在推动当地先进制造业的发展。然而,由于市场波动和企业运营问题
资讯安森美2024年度大事记回顾2025-01-08
让我们通过年度十大新闻回顾这些重要时刻!
资讯安森美在碳化硅半导体生产中的优势2025-01-07
此前的文章“粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战”中,我们讨论了宽禁带半导体基础知识及碳化硅制造挑战,本文为白皮书第二部分,将重点介绍碳化硅生态系统的不断演进及安森美(onsemi)在碳化硅半导体生产中的优势。
资讯安森美解读SiC制造都有哪些挑战?粉末纯度、SiC晶锭一致性2025-01-05
硅通常是半导体技术的基石。然而,硅也有局限性,尤其在电力电子领域,设计人员面临着越来越多的新难题。解决硅局限性的一种方法是使用宽禁带半导体。 本文为白皮书第一部分,将重点介绍宽禁带半导体基础知识及碳化硅制造挑战。 宽禁带半导体 顾名思义,宽禁带半导体(例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)),是通过其最重要的电气特性“禁带”来描述的一类半导体。禁带是价带顶部和导带底部之间的能量差。类似硅的半导体具有相对较窄的禁
资讯SiC MOSFET如何选择栅极驱动器2025-01-02
硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位,这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车(EV)等。然而,市场对更小型化产品的需求,以及设计人员面临的提高电源能效的压力,使得碳化硅(SiC)MOSFET成为这些应用中受欢迎的替代品。
资讯回顾安森美2024年度荣誉时刻2024-12-31
安森美凭借在智能电源和智能感知领域的技术创新,荣获行业媒体众多奖项,下拉一览那些熠熠生辉的时刻。