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主页所有制造商ON高能效, 60 V, 单通道 N 沟道 MOSFET

高能效, 60 V, 单通道 N 沟道 MOSFET

高能效, 60 V, 单通道 N 沟道 MOSFET

ON Semiconductor 的 60 V、N 沟道 MOSFET(High-Efficiency, 60 V, Single N-Channel MOSFETs) 具有极低的导通状态电阻,有助于提升能效水平

发布时间:2018-06-14

ON Semiconductor 针对数据网络、电信和工业应用推出新型高能效、单通道、N 沟道器件,扩充了其广泛的功率 MOSFET 产品组合。
这些器件具有极低的导通电阻 RDS(ON),从而将导通损耗降至最低并提升了总体工作效率水平。 这些器件的栅极电容 (Ciss) 也非常低(低至 2,164 pF),这可确保驱动器损耗保持在尽可能低的水平。
NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL 是上述器件的补充产品,额定击穿电压为 60 V。这些器件的最大 RDS(ON) 分别为 1.2 mΩ、1.5 mΩ 和 4.7 mΩ,相应的连续漏电流分别为 287 A、235 A 和 93 A。和 60 V 器件的额定结温均高达 175°C,从而让工程师在设计时拥有更大的散热空间。

60 V Single N-Channel MOSFETs
图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
NTMFS5C646NLT1GMOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 60V 32A SO-8FL¥27.11227在线订购
NTMFS5C604NLT1GMOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 60V 289A SO-8FL在线订购

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