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FM24V02A 256 Kb I²C 串行 F-RAM
Cypress 的 FM24V02A 是一款采用先进铁电体工艺的 256 Kb 非易失性存储器模块（FM24V02A 256 Kbit Serial I²C F-RAM）
发布时间：2018-06-14
F-RAM 是非易失性的，执行读写操作类似于 RAM 该器件提供了可靠的 151 年数据保留时间，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其它非易失性存储器存在的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
与 EEPROM 不同，Cypress 的 FM24V02A 以总线速度执行写操作。 不会产生写入延迟。 每个字节成功传输到器件后，数据会立即写入存储器阵列 无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期。 此外，相比其它非易失性存储器，FM24V02A 具有足够的写入耐久性。 因为写操作不需要内部提升的电源电压用于写电路，所以 F-RAM 在写入时还具有比 EEPROM 低得多的功耗 。 FM24V02A 能支持 1014 次读/写循环，写周期比 EEPROM 多 1 亿次。
这些功能使得 FM24V02A 成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。 具体应用实例如，从写循环次数可能比较关键的数据记录，到苛刻的工业控制，对于后者来说，串行闪存或 EEPROM 的长写入时间会造成数据丢失。 这些特性组合使之能够以较少的系统开销实现更频繁的数据写入。
作为硬件直接替代品，FM24V02A 为串行 EEPROM 或闪存用户带来了显著的优势。 该器件加入了一个只读器件 ID，允许主机来确定制造商、产品密度和产品版本。 在 -40°C 至 85°C 的工业温度范围内器件技术规格是有保证的。
FM24V02A 还提供 128 Kb (16 K x 8) 串行 (I2C) F-RAM 版本。
FM24V02A 256 Kb I²C 串行 F-RAM特性
256 Kb 铁电体随机存取存储器 (F-RAM) 的逻辑组成为 32 K x 8
高耐久的 100 万亿 (1014) 次读/写操作
151 年数据保存期
NoDelay™ 写入
先进的高可靠性铁电体工艺
快速双线串行接口 (I2C)
高达 3.4 MHz 的频率
串行 EEPROM 的硬件直接替代品
支持传统 100 kHz 和 400 kHz 定时
器件 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
100 kHz 时 175 µA 工作电流
150 µA 待机电流
8 µA 低休眠模式电流
低工作电压：VDD = 2.0 V 至 3.6 V
工业温度范围：-40°C 至 +85°C
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
符合 RoHS 规范
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FM24V02A-G | 未分类-待分类商品 | IC FRAM 256KBIT 3.4MHZ 8SOIC | 在线订购 | |
| | FM24V01A-G | 未分类-待分类商品 | IC FRAM 128KBIT 3.4MHZ 8SOIC | ￥29.30200 | 在线订购 |
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