高压摆率、低噪声、轨至轨输出运算放大器
On Semiconductor 的 NCS2003 运算放大器(High Slew Rate, Low Noise, Rail-to-Rail Output Operation Amplifier)能在低压、低功耗应用中实现高性能工作
发布时间:2018-06-14
NCS2003 是具有轨至轨输出驱动能力的低电压运算放大器。 1.8 V 工作电压允许在低压、低功耗应用中实现高性能工作。 其它特性包括过激励输入的无输出反相、0.5 mV 的低输入失调电压、1 pA 的超低输入偏置电流和 1.8 V 时 5 MHz 的增益带宽。这款微型 NCS2003 是小型便携式电子应用的理想解决方案,采用节省空间的 SOT23-5 封装。
高压摆率、低噪声、轨至轨输出运算放大器特性
单位增益带宽:7 MHz,VS = 5 V 时
快速压摆率:8 V/µs 上升、12.5 V/µs 下降,VS = 5 V 时
轨至轨输出
用于过激励输入信号的无输出反相
低失调电压低:0.5 mV(典型值)
低输入偏置电流:≤ 1 pA(典型值)
这些器件无铅、无卤素/无 BFR,且符合 RoHS 规范
高压摆率、低噪声、轨至轨输出运算放大器应用
分流监视器
信号调节
有源滤波器
传感器缓冲器
电机控制驱动器
硬盘驱动器
医疗设备
白色家电和空调
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| NCS2003SN2T1G | 运算放大器-运算放大器及比较器 | IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5 | ¥11.46555 | 在线订购 |
文档名称 | 类型 | 大小 | 更新日期 | 查看次数 | 下载 |
---|---|---|---|---|---|
High Slew Rate, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifier | | 470KB | 463次 | ||
NCS2003 PSPICE MODEL | | 5KB | 376次 | ||
NCS2003 CAPTURE LIBRARY | | 7KB | 348次 | ||
TSOP-5 | | 31KB | 499次 | ||
SOT-553, 5 LEAD | | 53KB | 482次 | ||
NCS2003datasheet | | - |
应用案例
资讯回顾安森美2024年度荣誉时刻2024-12-31
安森美凭借在智能电源和智能感知领域的技术创新,荣获行业媒体众多奖项,下拉一览那些熠熠生辉的时刻。
资讯富昌电子荣获安森美双重奖项2024-12-30
全球电子元器件授权代理商的佼佼者富昌电子(Future Electronics)近日传来喜讯,凭借在中国区大众市场(Mass Market)拓展及技术支撑服务方面的卓越表现,公司成功荣获安森美(onsemi)颁发的两项重量级奖项。 据悉,富昌电子荣获的奖项分别为“2024年度中国区大众市场需求创造杰出贡献”奖和“解决方案优秀实现”奖。这两项殊荣不仅是对富昌电子在电子元器件代理领域深厚实力的肯定,更是对其在需求创造与技术创新方面卓越贡献的高度认可。 作为中国电子
资讯行车记录仪对图像传感器的要求2024-12-27
行车记录仪已经成为提升道路安全的重要工具。它能够持续记录从日常通勤到高速事故的各种情况,让驾驶员对自己的行为负责,并促使更多危险驾驶行为得到定罪,从而帮助提升了道路安全。由于安装简便且具备多种优势,行车记录仪在驾驶人群中迅速普及。
资讯安森美荣获2024亚洲金选双料大奖2024-12-27
近日,安森美凭借其在车用电子领域的杰出贡献和卓越表现,荣获车用电子解决方案供应商奖,进一步巩固了其在该领域的领先地位。 与此同时,安森美的第7代1200V QDual3 IGBT功率模块也在此次评选中大放异彩,荣获年度最佳功率半导体奖。这款模块采用了创新的场截止第7代(FS7)IGBT技术,以其卓越的效能表现赢得了业界的高度认可。这一荣誉不仅彰显了安森美在功率半导体领域的深厚实力,也体现了其在技术创新和产品研发方面的卓越成就。 安森美此次
资讯安森美Hector Ng:多款新品推出,强化市场领导力2024-12-31
又到了岁末年初之际,回顾过去的2024年,半导体产业有增长也有阵痛,复盘2024年的半导体产业状况,有哪些长足的进展又有哪些短板?展望2025年,半导体市场又有哪些机会,该如何发展?为此,电子发烧友网策划了《2025年半导体产业展望》专题,收到数十位国内外半导体创新领袖企业高管的前瞻观点。其中,电子发烧友特别采访了安森美亚太区应用工程技术总监Hector Ng,以下是他对2025年半导体市场的分析与展望。 安森美亚太区应用工程技术总监
资讯安森美碳化硅MOSFET的持续演进2024-12-26
随着电动汽车动力总成和能源基础设施对碳化硅(SiC)功率器件需求的增加,加速了市场的增长。在这一过程中,终端用户需求不断提高以及日益增大的盈利压力促使各企业在其电力电子应用中考虑采用SiC沟槽技术(Trench)MOSFET,部分原因是基于传统硅功率器件的经验,认为沟槽技术是实现最优功率密度的唯一途径。然而,在决定沟槽技术是否为当前合适选择之前,至关重要的是要考虑下一代SiCMOSFET技术的进步,这些技术很可能会带来好处,同时避免其固有风险。
资讯贸泽电子携手安森美与Würth Elektronik推出太阳能储能新方案2024-12-24
全球电子元器件和工业自动化产品的领先授权代理商贸泽电子(Mouser Electronics),近日携手安森美(onsemi)和Würth Elektronik,共同为迅速增长的太阳能逆变器市场推出了新一代的高效解决方案。 当前,全球逆变器市场正经历着显著的增长,这主要得益于微型逆变器和组串式逆变器在安装上的便捷性,以及全球范围内对可再生能源基础设施建设的持续投资。这些投资不仅推动了市场的快速发展,也为行业内的现有企业和新兴参与者带来了丰富的盈利机会。 贸泽
资讯安森美收购碳化硅JFET技术,强化AI数据中心电源产品组合2024-12-24
近日,全球领先的半导体公司安森美(onsemi)宣布了一项重大收购计划,已与Qorvo达成协议,将以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务,以及Qorvo旗下的子公司United Silicon Carbide。 此次收购对于安森美来说意义重大。SiC JFET技术的加入,将极大地丰富安森美现有的EliteSiC电源产品组合,使其能够更全面地满足人工智能(AI)数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的迫切需求。在当前数据中心日益追求高效能和低能耗的背景下,这一收