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LM74610-Q1 零 IQ 智能二极管控制器
Texas Instruments 推出的 LM74610-Q1 控制器（LM74610-Q1 Zero IQ Smart Diode Controllers）可在电力系统中替代二极管或 PFET 反极性解决方案
发布时间：2018-06-14
Texas Instruments 的 LM74610-Q1 控制器可在反极性保护电路中与 N 沟道 MOSFET 配合使用。 用于在与电源串联的情况下驱动外部 MOSFET，以模拟理想的二极管整流器。 这种方案独特优势是，不以大地为基准，并因此具有零 IQ。
LM74610-Q1 控制器提供用于外部 N 沟道 MOSFET 的栅极驱动，并具有快速响应内部比较器，以在遇到反极性时使 MOSFET 栅极电路放电。 这种快速下拉功能可在检测到相反极性时，限制反向电流的流量和持续时间。 采用适当的 TVS 二极管时，该器件设计还符合 CISPR25 第 5 类 EMI 规格和 ISO7637 汽车瞬态要求。
LM74610-Q1 零 IQ 智能二极管控制器特性
获得汽车应用资质认可
获得 AEC-Q100 认证，结果如下：
超过 HBM ESD 分类第 2 级
器件 CDM ESD 分类第 C4B 级
45 V 的最高反向电压
阳极端子无正压限制
用于外部 N 沟道 MOSFET 的充电泵栅极驱动器
功率耗散较肖特基二极管/PFET 解决方案更低
阳极端子无正压限制
低反向漏电电流
零 IQ
对反极性响应快，仅 2 µs
工作环境温度范围宽达 -40°C 到 125°C
可用于 O 圈应用
符合 CISPR25 EMI 规范
采用适当的 TVS 二极管时，符合 ISO7637 汽车瞬态要求
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | LM74610-SQEVM | 开发板/评估板/验证板（废弃） | SMART DIODE CONTROLLER EVAL MODU | 在线订购 | |
 | | LM74610-DQEVM | 开发板/评估板/验证板（废弃） | SMART DIODE CONTROLLER ORING EVA | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | LM74610QDGKRQ1 | 电源开关/负载开关-电源管理 | ICSMARTDIODECTLR8VSSOP | ￥4.97200 | 在线订购 |
 | | LM74610QDGKTQ1 | AC-DC开关电源芯片-电源管理 | 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管控制器 | ￥28.87771 | 在线订购 |
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