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紧凑封装 CST3C MOSFET
Toshiba 推出用于控制移动设备中电源和数据信号的紧凑封装 CST3C MOSFET（Compact Package CST3C MOSFET），扩充了其 MOSFET 产品阵容
发布时间：2018-06-14
Toshiba 推出其采用紧凑 0.8 mm × 0.6 mm、CST3C 封装的 SSM3K35CTC 和 SSM3J35CTC，扩充了其 MOSFET 产品阵容。 这些 MOSFET 适合用于控制诸如智能手机和可穿戴设备之类移动设备中的电源或数据信号。 Toshiba 的 CST3C 封装特别紧凑，其基底面仅为业内标准 SOT-723 的三分之一，使之非常适合高密度安装。 此外，这两款产品实现了比 SOT 723 封装产品更低的导通电阻。
紧凑封装 CST3C MOSFET特性
低漏源导通电阻
SSM3K35CTC：RDS(ON)= 2.4 Ω（典型值），VGS= 1.2 V 时
SSM3J35CTC：RDS(ON)= 3.2 Ω（典型值），VGS= -1.2 V 时
紧凑的 CST3C 封装 (0.8 mm × 0.6 mm)
可以通过 1.2 V 的栅极电压控制
紧凑封装 CST3C MOSFET应用
智能手机
平板电脑
可穿戴设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SSM3J35CTC,L3F | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C | ￥0.42830 | 在线订购 |
| | SSM3K35CTC,L3F | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 20V 0.18A | ￥1.46845 | 在线订购 |
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