意法半导体的功率MOSFET系列使电源设计人员能够最大限度地提高产品的功效，同时提高稳健性和安全裕度。MDmesh K5器件是世界上第一个将超结技术的优势与1500 V的漏极 - 源极击穿电压相结合的器件。他们已经在亚洲，欧洲和美国的主要客户中获得了重要的设计成果。

这些器件满足了服务器中辅助开关模式电源对更高输出功率的不断增长的需求，其中电源稳健性是最小化停机时间的关键因素，以及焊接和工厂自动化等工业应用。对于功率输出范围为75 W至230 W或更高的这些应用，超结MOSFET技术因其出色的动态切换性能而成为首选。

ST的MDmesh K5功率MOSFET系列将这项技术提升到一个新的水平，每个区域具有最低的导通电阻（R DS（on））和市场上最低的栅极电荷（Q g），从而产生业界最佳的品质因数（FOM）。这些器件是所有常用电源拓扑的理想选择，包括标准，准谐振和有源钳位反激转换器; 和LLC半桥转换器适用于各种输入电压需要高效率（高达96％）和输出功率接近200 W的应用。

该系列的前两个成员是STW12N150K5和STW21N150K5，它们的最大漏源电流分别为7 A和14 A，栅极电荷低至47 nC（STW12N150K5）或导通电阻低至0.9Ω（STW21N150K5）。两款器件均采用TO-247封装。