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    低损耗超线性 RF 可变衰减器

    低损耗超线性 RF 可变衰减器

    IDT 针对宽带通讯系统推出三种低损耗超线性 RF 可变衰减器产品(Low-Loss Ultra-Linear RF Variable Attenuator)

    发布时间:2018-06-14

    IDT 推出三个低损耗超线性 RF 可变衰减器。 IDT 的 6 位 F1912 和 7 位 F1956 DSA 采用 IDT 在业界率先推出的突破性 Glitch-Free™ 技术,该技术通过减少最高位 (MSB) 转换期间的瞬态“毛刺”,来消除源自发送和/或接收通道的衰减设置过冲(毛刺),减少幅度可超 95%。 无毛刺响应性能可使用户简化其软件接口、提高可靠性、防止损坏功率放大器等昂贵的子组件,并限制数据转换器的输入超范围。
    F2250 是 VVA 的第一个产品系列,其频率为 50 MHz 至 6000 MHz、2 GHz 时的插入损耗为 1.4 dB,具有 65 dBm 的高 IP3I 线性度以及 -40°C 至 105°C 的宽温度范围。 VMODE 特性能让用户选择正或者负衰减控制,并实现高线性度 (dB) 衰减特性。

    低损耗超线性 RF 可变衰减器特性

    F1912 的特性

    • 串行和 6 位并行接口

    • 31.5 dB 控制范围

    • 步长 0.5 dB

    • 无毛刺 TM 低瞬态过冲

    • 3.0 V 至 5.25 V 电源

    • 1.8 V 或 3.3 V 控制逻辑电平

    • 衰减误差:<0.22 dB @ 2 GHz

    • 低插入损耗 <1.6 dB @ 2 GHz

    • 超线性度 IIP3 > +59.5 dBm

    • IIP2 = +110 dBm(典型值)

    • 稳定的随温度变化积分型非线性度

    • 低电流消耗 550 μA(典型值)

    • -55°C 至 105°C 工作温度

    • 4 mm x 4 mm thin QFN 20 引脚封装

    F1956 特性

    • 串行和 7 位并行接口

    • 31.75 dB 范围

    • 步长 0.25 dB

    • 无毛刺 TM 低瞬态过冲

    • 500 ns 建立时间

    • 超线性度 >64 dBm IIP3

    • 低插入损耗 <1.7 dB @ 4 GHz

    • 衰减误差:<0.2 dB @ 4 GHz

    • 3.3V 或 5 V 电源

    • 1.8 V 或 3.3 V 控制逻辑电平

    • -40°C 至 105°C 工作温度

    F2250 的特性

    • 低插入损耗 <1.4 dB @ 2000 MHz

    • 典型/最小 IIP3:65 dBm/47 dBm

    • 典型/最小 IIP2:95 dBm/87 dBm

    • 33.6 dB 衰减范围

    • 双向 RF 端口

    • +34.4 dBm 输入 P1dB 压缩

    • VMODE 引脚允许选择正或负衰减控制响应

    • 线性 (dB) 衰减特性

    • 电源电压:3.15 V 至 5.25 V

    • VCTRL 范围:0 V 至 2.8 V

    • +105°C 最高工作温度

    • 3 mm x 3 mm 16 引脚 TQFN 封装

    Low-Loss Ultra-Linear RF Variable Attenuator
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    F1912NCGIRF衰减器-射频器件RF Attenuator 0.5dB ±0.5dB 0 ~ 4GHz 50 Ohm 1.5W 20-WFQFN Exposed Pad¥57.04037在线订购
    F1956NBGIRF衰减器-射频器件IC RF ATTENUATOR 32TQFN¥69.00889在线订购
    F2250NLGKRF衰减器-射频器件IC RF ATTENUATOR¥65.10834在线订购

    应用案例

    • 资讯国家标准中常出入的IDT、MOD、EQV、NEQ是啥意思?2023-09-10

      修改采用,指与国际标准之间存在技术性差异,并清楚地标明这些差异以及解释其产生的原因,允许包含编辑性修改。修改采用不包括只保留国际标准中少量或者不重要的条款的情况。修改采用时,我国标准与国际标准在文本结构上应当对应,只有在不影响与国际标准的内容和文本结构进行比较的情况下才允许改变文本结构。

    • 资讯小米车充Pro怎么样 无线车充拆解评测内部做工精良2022-03-23

      车载充电器应该是有车一族的必备品,随着无线充电技术的发展,无线车充也成为当下较为热门的产品。这些年也经常在手机的产品发布会上发现无线车充的身影。近期拆解了那么多智能产品,那无线车充也是少不了的。   今天要拆解的就是小米无线车充Pro,充电器正面为皮革材质,能更好地保护手机避免磨损,四周还有环绕的氛围灯。这是一款采用新一代微波雷达传感器来感应识别物体移动,从而打开夹臂,让拿取手机更为方便。并且还支持50W快充。

    • 资讯连接电线的替代方法2021-06-28

      直插式连接器 线螺母 铲形端子 对接接头连接器 子弹头连接器 电线接头连接器 使用 IDT 的对接连接器

    • 资讯最新中功率无线充电芯片及解决方案集锦2021-03-05

      最近,小编的同事写了一篇关于无线充电的文章《无线充电功率上限定在50W,“一刀切”是否限制行业发展?》,引起了很多工程师的关注。确实,现在我们生活中的无线充电产品正变得越来越多,比如智能手机、智能手表、手环、扫地机器人、服务机器人,以及汽车等都开始具备无线充电功能了。

    • 资讯瑞萨电子涨价在即 领先的微控制器供应商会否拉动半导体涨势2020-12-02

      11月30日,日本半导体制造商瑞萨电子(Renesas Electronics)向客户发送了一封产品提价通知,提价生效日期为2021年1月1日。通知提到,由于原材料和包装成本的增加,瑞萨电子拟将上调部分模拟和电源产品价格。瑞萨电子还解释到,近期公司面临库存成本的增加和产品运输的风险,使公司不得不上调价格来保证这些产品能持续的投入生产。 瑞萨电子涨价通知 瑞萨致客户函在半导体产业链涨价大潮下,瑞萨电子涨价函在市场传开:11月30日,日本半导体制造

    • 资讯IDT内存SRAM和集成设备的器件库资料免费下载2020-07-02

      本文档的主要内容详细介绍的是IDT内存SRAM和集成设备的器件库资料免费下载。

    • 资讯IDT公司宣布将面向企业服务器和存储应用推出低功耗高精度温度传感器2019-08-09

      IDT TS3000GB0A0 是针对企业服务器和存储应用的低功耗、高精度温度传感器。它支持1.8V 电源供应,可降低功耗并与针对 SSD 内存模块的现有供应电压相兼容,无需额外的电压调节器。该器件延续了 IDT 一贯业界领先的温度精度,超过了美国电子工程设计发展联合会(JEDEC)为 B 级别温度传感器在 -40 °C 至 +125 °C 范围内设立的 JC42.4 规范。创新的模数转换器可实现高达 12 位 (0.0625°C) 的可编程分辨率,且做到无论分辨率大小,都小于100纳秒的业界领先的转换时间,从而在整个温度范围内大幅提升热控制回路的总体精度。

    • 资讯2019年瑞萨电子在中国主推的产品有哪些?2019-07-01

      近日,瑞萨开始了新一轮的产品巡回研讨会,首站厦门,随后在南京和西安三地巡回举办,在研讨会上瑞萨全系列的产品和最新解决方案被一一呈现。

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