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    650 V 快速体二极管 MOSFET

    650 V 快速体二极管 MOSFET

    Vishay Siliconix 的 650 V EF 系列(650 V Fast Body Diode MOSFETs)增大了电压余量,适用于工业、电信和再生能源应用中的软切换

    发布时间:2018-06-14

    Vishay Siliconix 的 650 V EF 系列快速体二极管 MOSFET 是对 Vishay 标准 E 系列元器件的完整补充,它们具有比标准 MOSFET 低 10 倍的 Qrr 和更高的可靠性。此外,650 V 型号还具有额外的电压余量。 600 V 和 650 V 的 E 系列和 EF 系列使得超级结家族的产品更为齐全,并让 Vishay Siliconix 的产品线进一步扩展至可用在 ZVS/软开关拓扑结构(如相移桥接器和 LLC 转换器半桥)中的器件。 其低 Qrr 允许器件更快重新获得阻止全击穿电压的能力,从而有助于避免击穿和热过压故障。 超低导通电阻和栅极电荷转化为极低的导通和开关损耗,因此节省了高功率、高性能开关模式应用中的能量。

    电路拓扑结构

    • 设计用于软切换或零电压开关拓扑结构,如:

      • 相移桥接器

      • 3 级逆变器

      • LLC 转换器

    • 还可用于体二极管 MOSFET 仅工作于第一象限(从不打开)的“硬开关”拓扑结构:

      • 相移桥接器

      • 3 级逆变器

      • LLC 转换器


    650 V 快速体二极管 MOSFET特性

    • 650 V 漏-源极电压

    • 低反向恢复电荷 (Qrr) 能提高零电压开关/软切换拓扑结构中的可靠性

    • 采用细引线 TO-220 FullPAK、D2PAK (TO-263)、TO-247AC、TO-220AB 和 PowerPAK® 8 x 8 封装

    • 超低的导通电阻和栅极电荷降低了导通和开关损耗

    • 能够承受在雪崩和换相模式下的高能量脉冲,保证上限通过 100% UIS 测试

    • 符合 RoHS 规范且无卤素

    650 V 快速体二极管 MOSFET应用

    1. 太阳能逆变器

    2. 服务器和电信电源

    3. ATX/银盒 (Silver box) PC

    4. SMPS

    5. 焊接设备

    6. UPS

    7. 电池充电器

    8. 电动汽车 (EV) 外部充电站

    9. LED

    10. 高强度放电 (HID)

    11. 荧光灯镇流器

    650 V Fast Body Diode MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    SIHA21N65EF-E3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 650V 21A TO-220在线订购
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    应用案例

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