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    Si8817DB P沟道20 V MOSFET

    Si8817DB P沟道20 V MOSFET

    Vishay的Si8817DB P沟道20 V MOSFET(Si8817DB P-Channel 20 V MOSFET),采用小型MICRO FOOT 0.8 mm封装,具有低导通电阻

    发布时间:2018-06-14

    Vishay Siliconix的Si8817DB P沟道MOSFET 可用于便携式电子产品(如智能手机,平板电脑和移动计算设备)的电源管理应用中的电池或负载切换。MOSFET紧凑的外形可节省PCB空间,并提供超薄外形,以实现更轻薄的便携式电子产品,同时其低导通电阻可降低导通损耗,从而降低功耗,延长电池续航时间。该器件的低导通电阻还意味着负载开关上的压降较低,以防止意外的欠压锁定。

    MOSFET采用超高密度技术制造,采用自对准工艺技术将10亿个晶体管单元封装到每平方英寸的硅片中。结合MICRO FOOT的无封装CSP技术,可为给定的轮廓区域提供最低的导通电阻。

    -20 V P沟道Si8817DB针对降压转换器应用进行了优化。4.5 V栅极驱动时的最大导通电阻为76mΩ,0.8 mm×0.8 mm×0.4 mm的小尺寸将用于空间比导通电阻更重要的应用。


    Si8817DB P沟道20 V MOSFET特性

    • TrenchFET功率MOSFET

    • 小0.8毫米x 0.8毫米的轮廓区域

    • 低0.4毫米的最大轮廓

    Si8817DB P沟道20 V MOSFET应用

    1. 负载和充电器开关

    2. 电池管理

    3. DC / DC转换器

    4. 智能手机和平板电脑

    Si8817DB
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    SI8817DB-T2-E1MOSFETs-晶体管MOSFET P-CH 20V MICROFOOT¥1.30157在线订购

    应用案例

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