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    NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET

    NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET

    ON Semiconductor的 NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET (NTMFS5C4xx and NVMFS5C4xx 40 V Power MOSFETs)具有低输入电容,可将开关损耗降至最低

    发布时间:2018-06-14

    ON Semiconductor 的 NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET 具有极低导通电阻 RDS(ON),从而能将传导损耗降至最低,并提升总体工作效率水平。 这些器件的栅极电容 (Ciss) 也非常低(低至 2164 微微法拉 (pF)),这可确保驱动器损耗保持在尽可能低的水平。 该器件已达到可在高达 175˚C 的结温下工作的产品级别,能让工程师们的设计获得更大散热空间。

    NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET特性

    • 低 RDS(ON) 将传导损耗降至最低

    • 低输入电容 (Ciss) 将开关损耗降至最低

    • 最高结温达 175°C

    • 适于采用紧凑设计的小基底面

    • NVM 器件符合 AEC-Q101 认证,具有 PPAP 能力

    NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET应用

    1. 高性能 DC-DC 转换器

    2. 汽车

      • 电机控制

      • 负载开关

      • 螺线管驱动器

    3. 负载点模块

    4. DC 电机驱动器

    5. 二次同步整流

    NTMFS5C4 Power MOSFETs
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    NTMFS5C468NLT1GMOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 40V SO8FL¥6.94206在线订购
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    应用案例

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