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NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET
ON Semiconductor的 NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET （NTMFS5C4xx and NVMFS5C4xx 40 V Power MOSFETs）具有低输入电容，可将开关损耗降至最低
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的 NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET 具有极低导通电阻 RDS(ON)，从而能将传导损耗降至最低，并提升总体工作效率水平。 这些器件的栅极电容 (Ciss) 也非常低（低至 2164 微微法拉 (pF)），这可确保驱动器损耗保持在尽可能低的水平。 该器件已达到可在高达 175˚C 的结温下工作的产品级别，能让工程师们的设计获得更大散热空间。
NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET特性
低 RDS(ON) 将传导损耗降至最低
低输入电容 (Ciss) 将开关损耗降至最低
最高结温达 175°C
适于采用紧凑设计的小基底面
NVM 器件符合 AEC-Q101 认证，具有 PPAP 能力
NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET应用
高性能 DC-DC 转换器
汽车
电机控制
负载开关
螺线管驱动器
负载点模块
DC 电机驱动器
二次同步整流
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NTMFS5C468NLT1G | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V SO8FL | ￥6.28610 | 在线订购 |
 | | NTMFS5C410NT1G | MOSFETs-晶体管 | T640VMOSFET | ￥5.50000 | 在线订购 |
| | NTMFS5C456NLT1G | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH40VSO8FL | ￥9.21164 | 在线订购 |
| | NTMFS5C442NT1G | MOSFETs-晶体管 | T640VMOSFET | ￥12.83321 | 在线订购 |
| | NTMFS5C426NT1G | MOSFETs-晶体管 | T640VMOSFET | ￥11.82000 | 在线订购 |
| | NTMFS5C404NT1G | MOSFETs-晶体管 | T640VMOSFET | ￥66.56955 | 在线订购 |
 | | NTMFS5C450NT1G | MOSFETs-晶体管 | T640VMOSFET | 在线订购 | |
| | NTMFS5C430NT1G | MOSFETs-晶体管 | T640VMOSFET | ￥6.21500 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | NVMFS5C423NLT1G | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL | 在线订购 | |
| | NVMFS5C404NT1G | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH40V49ASO8FL | ￥27.56546 | 在线订购 |
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