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移动型高速 DDR SDRAM

Alliance Memory 推出 AS4CxxMxxMD1 高速移动 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM（High-Speed Mobile DDR SDRAMs）

发布时间：2018-06-14

Alliance Memory 的高速移动 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM (DDR SDRAM) 专门用于提高能效并延长小型便携式设备的电池寿命。这些容量为 256 MB、512 MB、1 GB 和 2 GB 的器件采用 8 mm x 9 mm、60 焊球和 8 mm x 13 mm、90 焊球 FPBGA 封装，具有 1.7 V 至 1.95 V 低功耗和多项省电功能。在高带宽、高性能存储器系统应用中，AS4C16M16MD1、AS4C32M16MD1、AS4C16M32MD1、AS4C64M16MD1、AS4C32M32MD1 以及 AS4C64M32MD1 成为类似解决方案可靠的插入式引脚兼容替代品。

移动型高速 DDR SDRAM特性

1.7 V 至 1.95 V 低功耗
省电功能：
自动温度补偿型自我刷新 (ATCSR)
部分阵列自我刷新 (PASR)
深度断电 (DPD) 模式
以双倍数据速率架构实现 166 MHz 以及 200 MHz 的快速时钟速率
每个器件均提供扩展（-30 °C 至 +85 °C）和工业（-40 °C 至 +85 °C）温度范围
内部配置为 4 组 16 M x 16 位和 32 位；32 M 和 64 M x 16 位；以及 32 M 和 64 M x 32 位
提供 8 mm x 9 mm 的 60 焊球和 8 mm x 13 mm 的 90 焊球 FPBGA 封装
全同步工作
2、4、8 或 16 的可编程读或写猝发长度
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
符合 RoHS 规范
无铅 (Pb)、无卤素

High-Speed Mobile DDR SDRAMs
数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	价格	操作
	AS4C16M16MD1-6BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FPBGA	￥23.21276	在线订购
	AS4C16M32MD1-5BCN	SRAM存储器-存储器	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA	￥50.82329	在线订购
	AS4C64M32MD1-5BCN	SRAM存储器-存储器	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA	￥124.52744	在线订购
	AS4C32M16MD1-5BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FPBGA		在线订购
	AS4C64M16MD1-6BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA		在线订购
	AS4C64M16MD1-6BIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA		在线订购
	AS4C32M32MD1-5BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA		在线订购