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    高速 CMOS SDRAM

    高速 CMOS SDRAM

    Alliance Memory 提供 2 M x 32 位和 4 M x 32 位同步 DRAM (High-Speed CMOS SDRAMs)

    发布时间:2018-06-14

    Alliance Memory 扩展了其 64 M 和 128 M SDRAM 产品线,推出 2 M x 32 AS4C2M32S 和 4 M x 32 AS4C4M32S 器件。 高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 采用 90 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封装和 86 引脚 400 mil 塑料 TSOP II 封装。 对于要求高存储器带宽的产品中的大量类似解决方案,这些器件无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

    高速 CMOS SDRAM特性

    • 时钟唤醒时间缩短至 5.4 ns

    • 快速时钟速率:143 MHz 和 166 MHz

    • 商用温度范围 0°C 至 70°C

    • 采用 +3.3 V (±0.3 V) 单电源工作

    • 可编程读或写猝发长度为 1、2、4、8 或全页面,且可选猝发端接

    • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电

    • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新

    • 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式,从而最大限度提升性能

    • 无铅 (Pb)、无卤素

    高速 CMOS SDRAM应用

    1. 工业

    2. 电信

    3. 消费类产品

    High-Speed CMOS SDRAMs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    AS4C2M32S-6BIN其他存储器-存储器IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA¥53.35409在线订购
    AS4C4M32SA-7TCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II¥39.93259在线订购
    AS4C4M32S-7BCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA¥36.46080在线订购
    AS4C2M32SA-7TCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II在线订购
    AS4C2M32S-7BCN其他存储器-存储器IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA¥28.63080在线订购
    AS4C4M32SA-6TINMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II¥48.10320在线订购
    AS4C4M32S-6BIN其他存储器-存储器IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA¥42.21445在线订购
    AS4C4M32SA-6TCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II¥50.03211在线订购
    AS4C2M32SA-6TINMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II¥44.61805在线订购
    AS4C2M32SA-6TCN其他存储器-存储器IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II¥27.07560在线订购

    应用案例

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