高速 CMOS SDRAM
Alliance Memory 提供 2 M x 32 位和 4 M x 32 位同步 DRAM (High-Speed CMOS SDRAMs)
发布时间:2018-06-14
Alliance Memory 扩展了其 64 M 和 128 M SDRAM 产品线,推出 2 M x 32 AS4C2M32S 和 4 M x 32 AS4C4M32S 器件。 高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 采用 90 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封装和 86 引脚 400 mil 塑料 TSOP II 封装。 对于要求高存储器带宽的产品中的大量类似解决方案,这些器件无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。
高速 CMOS SDRAM特性
时钟唤醒时间缩短至 5.4 ns
快速时钟速率:143 MHz 和 166 MHz
商用温度范围 0°C 至 70°C
采用 +3.3 V (±0.3 V) 单电源工作
可编程读或写猝发长度为 1、2、4、8 或全页面,且可选猝发端接
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式,从而最大限度提升性能
无铅 (Pb)、无卤素
高速 CMOS SDRAM应用
工业
电信
消费类产品
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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| AS4C2M32S-6BIN | 其他存储器-存储器 | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | ¥53.35409 | 在线订购 | |
| AS4C4M32SA-7TCN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | ¥39.93259 | 在线订购 | |
| AS4C4M32S-7BCN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA | ¥36.46080 | 在线订购 | |
| AS4C2M32SA-7TCN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | 在线订购 | ||
| AS4C2M32S-7BCN | 其他存储器-存储器 | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | ¥28.63080 | 在线订购 | |
| AS4C4M32SA-6TIN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | ¥48.10320 | 在线订购 | |
| AS4C4M32S-6BIN | 其他存储器-存储器 | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA | ¥42.21445 | 在线订购 | |
| AS4C4M32SA-6TCN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | ¥50.03211 | 在线订购 | |
| AS4C2M32SA-6TIN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | ¥44.61805 | 在线订购 | |
| AS4C2M32SA-6TCN | 其他存储器-存储器 | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | ¥27.07560 | 在线订购 |
应用案例
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