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    高速 CMOS DDR SDRAM

    高速 CMOS DDR SDRAM

    Alliance Memory 推出 AS4C32M8D1/16D1 和 AS4C64M8D1/16D1 高速 CMOS DDR SDRAM(High-Speed CMOS DDR SDRAMs)

    发布时间:2018-06-14

    Alliance Memory 的 AS4C32M8D1、AS4C32M16D1A、AS4C64M8D1 和 AS4C64M16D 高速 CMOS 双数据速率同步 DRAM (DDR SDRAM) 的容量为 256 MB、512 MB 和 1 GB,是现有 64 M (4 M x 16)/(2 M x 32) 和 128 M (8 M x 16)/(4 M x 32) DDR1 产品组合的新成员。对于要求高存储器带宽的工业、医疗、通信和电信产品产中的大量类似解决方案,这些器件无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

    高速 CMOS DDR SDRAM特性

    • 采用 60 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封装和 66 引脚 TSOP II 封装,引脚间距为 0.65 mm

    • 内部配置为四个 32 M 字 x 8 位存储体 (AS4C32M8D1)、四个 64 M 字 x 8 位存储体 (AS4C64M8D1) 和四个 64 M 字 x 16 位存储体 (AS4C64M16D1),且均具有同步接口

    • 支持商业级(0°C 至 +70°C)和工业级(-40°C 至 +85°C)温度范围

    • 可编程读或写猝发长度为 2、4 或 8

    • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电

    • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新

    • 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式,从而最大限度提升性能

    • 快速时钟速率:200 MHz 和 166 MHz

    • 采用 +2.5 V (±0.2 V) 单电源工作

    • 无铅 (Pb)、无卤素

    High-Speed CMOS DDR SDRAMs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    AS4C32M16D1A-5TINSRAM存储器-存储器IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II¥36.07589在线订购
    AS4C32M16D1A-5TCN其他存储器-存储器IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II¥0.01240在线订购
    AS4C64M16D1-6TCNSRAM存储器-存储器IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP II¥213.18815在线订购
    AS4C64M16D1-6TINSRAM存储器-存储器IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP II在线订购
    AS4C64M8D1-5TINSRAM存储器-存储器IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II在线订购

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